[实用新型]自动计时蚀刻装置和蚀刻平台有效
申请号: | 202023339455.6 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN213936132U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 蔡少忠;张洁;张煌珊;李思娜;许佳锋 | 申请(专利权)人: | 湖南三安半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动 计时 蚀刻 装置 平台 | ||
本申请提供的一种自动计时蚀刻装置和蚀刻平台,涉及半导体生产技术领域。该自动计时蚀刻装置包括驱动件、升降单元、托架和控制器,驱动件与升降单元连接,托架与升降单元连接,托架用于安装蚀刻样品,控制器与驱动件连接,用于控制驱动件将托架移动至蚀刻溶液中,控制器还用于对托架置于蚀刻溶液中的蚀刻时长进行计时。能够精确控制蚀刻样品即晶片的蚀刻时长,提高蚀刻效率和质量,从而提高晶片质量判断的精确度,缩短生产排程,提升生产效率和生产质量。
技术领域
本实用新型涉及半导体生产技术领域,具体而言,涉及一种自动计时蚀刻装置和蚀刻平台。
背景技术
经发明人研究发现,碳化硅材料作为外延芯片的衬底材料,对碳化硅的晶体质量具有很高的需求。通过蚀刻加工工艺可以将碳化硅SiC晶片(衬底跟籽晶)的晶体缺陷表征出来,即蚀刻后体现的表征情况可以有效地判断晶体的质量,因此蚀刻加工工艺是判断晶体的质量的主要途径。但是目前的碳化硅SiC晶片(衬底跟籽晶)在蚀刻过程中难以把控蚀刻时长,出现蚀刻数量少、蚀刻效率低、蚀刻数量不灵活的问题,对生产排程造成了影响,严重制约着生产效率和生产质量。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种自动计时蚀刻装置和蚀刻平台,其能够严格控制蚀刻样品在蚀刻溶液中的蚀刻时长,提高蚀刻效率,从而提高了晶体质量判断的精准度,有利于缩短生产排程,提升生产效率和生产质量。
本实用新型的实施例是这样实现的:
第一方面,本实用新型提供一种自动计时蚀刻装置,包括驱动件、升降单元、托架和控制器,所述驱动件与所述升降单元连接,所述托架与所述升降单元连接,所述托架用于安装蚀刻样品,所述控制器与所述驱动件连接,用于控制所述驱动件将所述托架移动至蚀刻溶液中,所述控制器还用于对所述托架置于所述蚀刻溶液中的蚀刻时长进行计时。
在可选的实施方式中,所述托架包括连接杆和设于所述连接杆上的至少一个置物盘,多个所述置物盘间隔设置,用于放置所述蚀刻样品;所述连接杆与所述升降单元连接。
在可选的实施方式中,所述置物盘上远离所述连接杆的一端设有挡边,用于对所述置物盘上的蚀刻样品进行限位。
在可选的实施方式中,还包括冷却单元,所述冷却单元设于所述升降单元的周围,用于对蚀刻后的蚀刻样品降温;所述冷却单元与所述控制器连接。
在可选的实施方式中,所述冷却单元采用风扇。
在可选的实施方式中,所述升降单元包括丝杆,丝杆的一端与所述驱动件连接,另一端与所述托架连接;所述丝杆用于在所述驱动件的作用下带动所述托架沿所述丝杆的轴向移动。
在可选的实施方式中,所述丝杆远离所述驱动件的一端设有转接杆,所述转接杆与所述托架连接。
在可选的实施方式中,还包括安装支架,所述安装支架包括横梁、相对设置的第一立柱和第二立柱,所述横梁的一端与所述第一立柱连接,所述横梁的另一端与所述第二立柱连接;所述驱动件安装在所述横梁上。
在可选的实施方式中,所述驱动件采用电机。
第二方面,本实用新型提供一种蚀刻平台,包括容器和如前述实施方式中任一项所述的自动计时蚀刻装置,所述容器用于存放蚀刻溶液,所述容器与所述托架相对设置,以便于所述托架移进或移出所述容器。
本实用新型实施例的有益效果包括:
本实用新型实施例提供的自动计时蚀刻装置,托架用于放置蚀刻样品,驱动件驱动升降单元移动以使托架进入蚀刻溶液中或使托架从蚀刻溶液中移出,避免操作人员直接操作,降低操作人员的操作风险,提高操作安全性。控制器还能对蚀刻样品在蚀刻溶液中的蚀刻时长进行计时,严格控制蚀刻时间,提高蚀刻效率和质量,从而提高了晶体质量判断的精准度,有利于缩短生产排程,提升生产效率和生产质量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造