[实用新型]一种硅片载板有效
| 申请号： | 202023339580.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN213716861U | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 安志娇 |
| 地址： | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 | ||
1.一种硅片载板，其特征在于，包括：
本体(1)，其上设有向内凹陷的、适于承载硅片(4)的多个相互独立的凹槽(2)；
每个所述凹槽(2)的槽底均设有第一气路通道(3)；
所述第一气路通道的第一端与所述凹槽(2)的槽底朝向硅片(4)的一面相通，第二端与外界相通。
2.根据权利要求1所述的硅片载板，其特征在于，
所述第一气路通道(3)有多个，多个所述第一气路通道(3)的第一端在所述凹槽(2)的槽底均匀间隔布置。
3.根据权利要求2所述的硅片载板，其特征在于，
所述第一气路通道为通气孔；
所述通气孔沿所述本体(1)的厚度方向延伸，并贯穿所述凹槽(2)的槽底。
4.根据权利要求3所述的硅片载板，其特征在于，
所述凹槽(2)呈方形，所述通气孔位于所述凹槽(2)长边的等分线和宽边的等分线的交叉点位置处。
5.根据权利要求4所述的硅片载板，其特征在于，
所述通气孔包括位于所述凹槽(2)的对角线中心的中间通气孔和位于所述中间通气孔外周的多个周边通气孔，每个所述周边通气孔到所述中间通气孔的距离相等。
6.根据权利要求5所述的硅片载板，其特征在于，
所述中间通气孔和所述周边通气孔的孔径大小相等，所述通气孔的直径为所述中间通气孔和所述周边通气孔之间间距的0.05－0.15倍之间。
7.根据权利要求1－6任一项所述的硅片载板，其特征在于，
所述第一气路通道呈L型，所述第一气路通道的竖直段与所述凹槽(2)槽底朝向硅片(4)的一面相通，所述第一气路通道的水平段贯穿所述本体(1)的侧壁与外界相通。
8.根据权利要求7所述的硅片载板，其特征在于，
所述本体(1)呈棋盘格状结构，由多个相互交叉的横梁与竖梁形成，所述凹槽(2)位于所述横梁和所述竖梁交叉形成的网格内；
所述横梁上设置有沿所述横梁长度方向延伸的第二气路通道，所述第二气路通道与每个所述第一气路通道相连通，且所述第二气路通道与外界相通。
9.根据权利要求8所述的硅片载板，其特征在于，
所述竖梁上设置有第三气路通道，所述第三气路通道与每个所述第二气路通道相连通，且所述第三气路通道与外界相通。
10.根据权利要求9所述的硅片载板，其特征在于，
所述第三气路通道的出口位于所述本体(1)的顶面或侧面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
