[实用新型]一种硅片载板

说明书

本实用新型涉及硅片镀膜技术领域，提供一种硅片载板，包括：本体，其上设有向内凹陷的、适于承载硅片的多个相互独立的凹槽；每个所述凹槽的槽底均设有第一气路通道；所述第一气路通道的第一端与所述凹槽的槽底朝向硅片的一面相通，第二端与外界相通。本实用新型提供的硅片载板，在本体上设置有多个独立的用于承载硅片的凹槽，每个凹槽的槽底均设置有第一气路通道，在凹槽内放置硅片后，使得硅片的正反两面的大气压保持均衡。取片时，吸嘴可以更容易将硅片吸起，提高了吸取硅片的成功率，还可以避免吸力过大时在硅片表面留下印迹、污染硅片。

技术领域

本实用新型涉及硅片镀膜技术领域，具体涉及一种硅片载板。

背景技术

硅片镀膜工艺中，通常需要借助载板对硅片进行支撑限位。现有的用于板式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)的石墨载板，其上设有多格硅片承载区，每格硅片承载区为156mm×156mm的正方形结构。每一块石墨载板承载硅片的数量为56片，例如横排8片、竖排7片，在石墨载板上通过垂直交叉设置的竖梁及横梁分隔成56格硅片承载区，每格硅片承载区均为156mm×156mm的正方形结构。

该石墨载板在使用时，会在其表面涂覆陶瓷涂层，在进行太阳能电池制作后石墨载板的表面温度约为150－180℃，硅片接触面与石墨载板的表面会形成一股吸力。在自动线上面进行单片、或者整排取片下料时，自动线参数一定的条件下，部分硅片容易取不上来，而当吸取硅片的吸力增加时，接触硅片表面的吸嘴就会留下明显的印迹，导致太阳能电池被污染。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的载板放置硅片时，硅片与载板容易发生粘连，导致取片困难，最终影响硅片质量的缺陷，从而提供一种硅片载板。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：

一种硅片载板，包括：本体，其上设有向内凹陷的、适于承载硅片的多个相互独立的凹槽；每个所述凹槽的槽底均设有第一气路通道；所述第一气路通道的第一端与所述凹槽的槽底朝向硅片的一面相通，第二端与外界相通。

进一步地，所述第一气路通道有多个，多个所述第一气路通道的第一端在所述凹槽的槽底均匀间隔布置。

进一步地，所述第一气路通道为通气孔；所述通气孔沿所述本体的厚度方向延伸，并贯穿所述凹槽的槽底。

进一步地，所述凹槽呈方形，所述通气孔位于所述凹槽长边的等分线和宽边的等分线的交叉点位置处。

进一步地，所述通气孔包括位于所述凹槽的对角线中心的中间通气孔和位于所述中间通气孔外周的多个周边通气孔，每个所述周边通气孔到所述中间通气孔的距离相等。

进一步地，所述中间通气孔和所述周边通气孔的孔径大小相等，所述通气孔的直径为所述中间通气孔和所述周边通气孔之间间距的0.05－0.15倍之间。

进一步地，所述第一气路通道呈L型，所述第一气路通道的竖直段与所述凹槽的槽底朝向硅片的一面相通，所述第一气路通道的水平段贯穿所述本体的侧壁与外界相通。

进一步地，所述本体呈棋盘格状结构，由多个相互交叉的横梁与竖梁形成，所述凹槽位于所述横梁和所述竖梁交叉形成的网格内；所述横梁上设置有沿所述横梁长度方向延伸的第二气路通道，所述第二气路通道与每个所述第一气路通道相连通，且所述第二气路通道与外界相通。

进一步地，所述竖梁上设置有第三气路通道，所述第三气路通道与每个所述第二气路通道相连通，且所述第三气路通道与外界相通。

进一步地，所述第三气路通道的出口位于所述本体的顶面或侧面上。

本实用新型技术方案，具有如下优点：