[实用新型]芯片及激光器有效
| 申请号： | 202023340352.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN213989555U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜 | 申请（专利权）人： | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223;H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悦涵 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 激光器 | ||
1.一种芯片，其特征在于，包括：
衬底，具有芯片区及波导区；
芯片层组，设置于所述衬底的芯片区；
波导条，与所述芯片层组间隔集成于所述衬底的波导区，用于引导出射激光的光斑大体呈圆形；
波导包层，沉积在所述波导条。
2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波导条的横截面为正方形，所述波导条的横截面边长为0.5μm-2μm。
3.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波导包层的厚度为2μm-3μm，且所述波导条的折射率大于所述波导包层的折射率。
4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述波导包层为SiO2波导包层，所述波导条为InP波导条。
5.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波导条与所述芯片层组之间的间隙为1μm-5μm。
6.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，在激光出射方向上，所述芯片区长度为150μm-300μm，所述波导区的长度为50μm-100μm。
7.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片层组包括依次层叠设置的缓冲层、下渐变缓冲层、量子阱层组、上渐变缓冲层、光栅层及腐蚀截止层。
8.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述腐蚀截止层上依次加工有InP外延层及InGaAs接触外延层；
所述InP外延层的厚度为1μm-2μm，所述InGaAs接触外延层的厚度0.1μm-0.3μm。
9.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述量子阱层组包括交错叠加生成的InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层。
10.一种激光器，其特征在于，安装有权利要求1-9任一所述的芯片。
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