[实用新型]芯片及激光器

说明书

本申请总体来说涉激光技术领域，具体而言，涉及一种芯片及激光器，激光器安装有该芯片，芯片包括衬底、芯片层组、波导条及波导包层，衬底具有芯片区及波导区，芯片层组设置于所述衬底的芯片区，波导条与所述芯片层组间隔集成于所述衬底的波导区，波导条用于引导出射激光的光斑大体呈圆形，波导包层沉积在所述波导条，改善的芯片出射光斑形状，提高激光器芯片与光纤耦合效率。

技术领域

本申请总体来说涉激光技术领域，具体而言，涉及一种芯片及激光器。

背景技术

通常的DFB激光器芯片主要是通过InGaAlAs/InAlAs的多层量子阱结构在正向电流的作用下形成离子数反转，形成受激辐射，产生激光，再通过布拉格光栅进行指定波长筛选，得到窄线宽激光，再通过激光器芯片的出射端面发射激光。

而通常由于产生激光的多层量子阱厚度只有十几纳米，而宽度主要由施加电流的脊波导宽度决定，而通常高速DFB激光器芯片的脊波导宽度为2μm～3μm，从而造成激光出射端面的的横纵宽度比有至少几十倍的差异，由于现有DFB激光器芯片的横向尺寸比纵向尺寸大非常多，所以，会导致现有DFB激光器芯片出射的光斑形状在纵向方向上的发散角比横向方向的发散角大很多，从而导致现有DFB激光器芯片的出射光斑都为椭圆形光斑，而通常的耦合光纤纤芯都为圆形尺寸，与DFB激光器芯片端面出射椭圆形光斑不匹配，从而造成在将激光器芯片的出射光耦合到传输光纤的过程中会因为光斑的不匹配造成较多的耦合光功率损耗。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决激光器芯片出射光斑形状与光纤纤芯端面形状不匹配的技术问题，本申请的主要目的在于，提供一种芯片及激光器。

为实现上述实用新型目的，本申请采用如下技术方案：

一种芯片，包括：

衬底，具有芯片区及波导区；

芯片层组，设置于所述衬底的芯片区；

波导条，与所述芯片层组间隔集成于所述衬底的波导区，用于引导出射激光的光斑大体呈圆形；

波导包层，沉积在所述波导条。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述波导条的横截面为正方形，所述波导条的横截面边长为0.5μm-2μm。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述波导包层的厚度为2μm-3μm，且所述波导条的折射率大于所述波导包层的折射率。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述波导包层为SiO2波导包层，所述波导条为InP波导条。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述波导条与所述芯片层组之间的间隙为1μm-5μm。

进一步的，在本申请的一些实施例中，在激光出射方向上，所述芯片区长度为150μm-300μm，所述波导区的长度为50μm-100μm。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述芯片层组包括依次层叠设置的缓冲层、下渐变缓冲层、量子阱层组、上渐变缓冲层、光栅层及腐蚀截止层。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述腐蚀截止层上依次加工有InP外延层及InGaAs接触外延层；

所述InP外延层的厚度为1μm-2μm，所述InGaAs接触外延层的厚度0.1μm-0.3μm。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述量子阱层组包括交错叠加生成的InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层。