[实用新型]一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置有效
| 申请号： | 202023340832.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN215163306U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 廖弘基;张洁;陈华荣;杨树;陈泽斌;洪棋典 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 晶体生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种坩埚盖，其特征在于，包括盖体，所述盖体具有用于与籽晶粘接的粘接面，在所述盖体的所述粘接面上固定有多孔粘接层；所述多孔粘接层的孔径为0.1-0.5mm。
2.根据权利要求1所述的坩埚盖，其特征在于，所述多孔粘接层的材质为多孔碳制品。
3.根据权利要求2所述的坩埚盖，其特征在于，所述多孔粘接层为多孔石墨纸。
4.根据权利要求1所述的坩埚盖，其特征在于，所述盖体的厚度为5-20mm。
5.一种坩埚，其特征在于，包括坩埚筒体和权利要求1-4中任一项所述的坩埚盖，所述坩埚盖用于盖合于所述坩埚筒体的顶部。
6.根据权利要求5所述坩埚，其特征在于，所述坩埚筒体的厚度为10-20mm。
7.一种晶体生长装置，其特征在于，其包括权利要求5或6中所述坩埚和用于包覆于所述坩埚外表面的保温层。
8.根据权利要求7所述晶体生长装置，其特征在于，所述保温层包括上下开口的保温筒体、用于封盖所述保温筒体顶部的顶部盖体和用于封盖所述保温筒体底部的底部盖体。
9.根据权利要求8所述晶体生长装置，其特征在于，所述保温筒体、所述顶部盖体和所述底部盖体的厚度均为20-40mm。
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