[实用新型]一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置

说明书

本实用新型提供了一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置，涉及结晶设备技术领域。坩埚盖包括盖体，盖体具有用于与籽晶粘接的粘接面，在盖体的粘接面上固定有多孔粘接层。在盖体的粘接面上固定多孔粘接层，可以有效的改善籽晶的粘接均匀性，提高籽晶粘接的质量，抑制籽晶背面出现的升华现象，能够有效减少晶体生长过程中六方空洞和微管等缺陷的产生，提高结晶的质量。

技术领域

本实用新型涉及结晶设备技术领域，具体而言，涉及一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置。

背景技术

碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料的代表，该材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优点，是制备耐高温、高频、大功率以及抗辐射电力电子器件的首选的衬底材料。因此，SiC材料在新能源汽车、军工、航天航空、半导体照明等领域具有广阔的应用价值。

目前，碳化硅单晶的生长方法包括物理气相沉积法(PVT)、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法(LPE)，其中PVT法是现阶段SiC晶体生长的主要方法，该方法是采用感应加热的原理，将高纯SiC原料放置于石墨坩埚底部，将其加热至2000℃以上，在低压下SiC原料升华为Si₂C、SiC₂等气氛，这些气体在石墨坩埚顶部的耔晶处重新结晶。PVT法在SiC晶体生长过程中，通常会产生异晶型、包裹体、六方空洞、微管、层错、位错等缺陷，这些缺陷严重影响了晶体的质量，增加了晶体的生长成本。

鉴于此，特提出本申请。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种坩埚盖及坩埚，旨在减少晶体生长过程中六方空洞和微管等缺陷的产生，提高结晶的质量。

本实用新型的另一目的在于提供一种晶体生长装置，其通过坩埚的改进，能够有效减少晶体生长过程中空洞和微管等缺陷的产生。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型提供一种坩埚盖，包括盖体，盖体具有用于与籽晶粘接的粘接面，在盖体的粘接面上固定有多孔粘接层。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，多孔粘接层的孔径为0.1-0.5mm。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，多孔粘接层的材质为多孔碳制品。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，多孔粘接层为多孔石墨纸。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，盖体的厚度为5-20mm。

本实用新型还提供一种坩埚，包括坩埚筒体和上述坩埚盖，坩埚盖用于盖合于坩埚筒体的顶部。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，坩埚筒体的厚度为10-20mm。

本实用新型还提供一种晶体生长装置，其包括上述坩埚和用于包覆于坩埚外表面的保温层。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，保温层包括上下开口的保温筒体、用于封盖保温筒体顶部的顶部盖体和用于封盖保温筒体底部的底部盖体。

进一步地，在本实用新型较佳的实施例中，保温筒体、顶部盖体和底部盖体的厚度均为20-40mm。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过上述坩埚盖的设计，在盖体的粘接面上固定多孔粘接层，可以有效的改善籽晶的粘接均匀性，提高籽晶粘接的质量，抑制籽晶背面出现的升华现象，能够有效减少晶体生长过程中六方空洞和微管等缺陷的产生，提高结晶的质量。

本实用新型还提供的一种坩埚及晶体生长装置，其包括上述坩埚盖，通过盖体的改进能够在晶体生长过程中，有效减少六方空洞和微管等缺陷的产生，提高结晶的质量。