[发明专利]包括多个部分并且用于降低编程干扰的存储器及其编程方法

权利要求书

1.一种存储器，包括：

包括从底部到顶部的第一字线到第k字线的第一部分；以及

形成于所述第一部分以上、并且包括从底部到顶部的第(k+1)字线到第m字线的第二部分；以及

控制器，其被配置为：在使用第x字线执行编程操作时，向所述第一字线到第(x-2)字线施加第一电压，向第(x-1)字线施加第二电压，向第(x+1)字线施加第三电压，并且向其余的字线施加第四电压；

其中，x、k和m是正整数，1km并且3≤x；

如果所述第x字线处于所述第一部分中，则所述第一电压具有第一电平；

如果所述第x字线处于所述第二部分中，则所述第一电压具有第二电平；并且其中，所述第一电平低于所述第二电平。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述控制器还被配置为：在使用所述第x字线执行所述编程操作并且x(m-1)时，向第(x+2)字线到所述第m字线施加所述第四电压。

3.根据权利要求1所述的存储器，还包括形成于所述第二部分以上、并且包括从底部到顶部的第(m+1)字线到第n字线的第三部分，其中，所述控制器还被配置为：在使用所述第x字线执行所述编程操作、mn并且x(n-1)时，向第(x+2)字线到所述第n字线施加所述第四电压。

4.根据权利要求3所述的存储器，其中：

如果所述第x字线处于所述第三部分中，则所述第一电压具有第三电平；并且

所述第二电平低于所述第三电平。

5.根据权利要求1所述的存储器，还包括：

形成于所述第一部分以上的下伪字线；

形成于所述第二部分以下的上伪字线；

形成于所述下伪字线和所述上伪字线之间的接头氧化物层；

其中，所述存储器具有两个堆栈的结构。

6.一种存储器，包括：

包括从底部到顶部的第(m+1)字线到第n字线的第一部分；以及

形成于所述第一部分以下、并且包括从底部到顶部的第(k+1)字线到第m字线的第二部分；以及

控制器，其被配置为：在使用第x字线执行编程操作时，向第(x+2)字线到所述第n字线施加第一电压，向第(x+1)字线施加第二电压，向第(x-1)字线施加第三电压，向所述第(m+1)字线到第(x-2)字线施加第四电压，并且向所述第(k+1)字线到所述第m字线施加第五电压；

其中，x、k和m是整数，0≤km，(m+2)x(n-1)并且所述第五电压低于所述第四电压。

7.根据权利要求6所述的存储器，还包括形成于所述第二部分以下、并且包括从底部到顶部的第一字线到第k字线的第三部分，其中，所述控制器还被配置为：在使用所述第x字线执行所述编程操作、0k时，向所述第一字线到所述第k字线施加第六电压，并且所述第六电压低于所述第五电压。

8.根据权利要求6所述的存储器，还包括形成于所述第一部分以上并且包括多个字线的第三部分，其中，所述控制器还被配置为：在使用所述第x字线执行所述编程操作时，向所述多个字线施加所述第一电压。

9.根据权利要求6所述的存储器，还包括：

形成于所述第一部分以下的上伪字线；

形成于所述第二部分以上的下伪字线；以及

形成于所述上伪字线和所述下伪字线之间的接头氧化物层；

其中，所述存储器具有两个堆栈的结构。