[发明专利]对3D存储器件进行编程的方法及相关3D存储器件

权利要求书

1.一种对包括堆叠在第二沟道上的第一沟道的沟道堆叠存储器件进行编程的方法，所述方法包括：

按照从底部到顶部的方向对在所述第一沟道中的第一组单元进行编程；以及

按照从顶部到底部的方向对在所述第二沟道中的第二组单元进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一沟道是通过选定位线和形成于衬底上的顶部伪层来控制的；

所述第二沟道是通过选定位线和形成于所述衬底上的底部伪层来控制的；

所述方法进一步包括：

在第一时段期间对所述第一沟道和所述第二沟道预充电；

在继所述第一时段之后的第二时段期间通过顺序地对在所述第一组单元中的第一到第m单元进行编程来按照从底部到顶部的方向对所述第一组单元进行编程；以及

在所述第二时段期间通过顺序地对在所述第二组单元中的第一到第n单元进行编程来按照从顶部到底部的方向对所述第二组单元进行编程；

在所述第一组单元中的所述第一单元与在所述第一组单元中的任何其它单元相比处于最接近所述第二沟道的位置上；

在所述第二组单元中的所述第一单元与在所述第二组单元中的任何其它单元相比处于最接近所述第一沟道的位置上；并且

m和n是大于1的正整数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

对所述第一沟道和所述第二沟道预充电包括：

在所述第一时段期间向所述选定位线施加第一电压；

在所述第一时段期间向选定顶部选择层施加第二电压；

将在所述第一组单元或者所述第二组单元中的选定存储层、底部选择层、所述顶部伪层和所述底部伪层偏置到接地电平上；

所述顶部伪层和所述第一组单元经由所述选定顶部选择层被选择性地耦接至所述选定位线；并且

所述底部伪层和所述第二组单元经由所述底部选择层被选择性地耦接至源极线。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，对所述第一沟道和所述第二沟道预充电进一步包括：

在所述第一时段期间向所述衬底的阱区施加第三电压。

5.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在所述第一时段期间抑制去选位线，以允许由所述去选位线控制的沟道在所述第一时段期间是浮置的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，抑制所述去选位线包括：

在所述第一时段期间向所述去选位线施加抑制电压；以及

在所述第一时段期间向去选顶部选择层施加第三电压。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述第一沟道或者所述第二沟道进行编程包括：

在所述第二时段期间使在所述第一组单元或者所述第二组单元中的选定存储层斜升至通过电压，并且随后斜升至编程电压，其中，所述编程电压大于所述通过电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述第一沟道或者所述第二沟道进行编程进一步包括：

当在所述第二时段期间对在所述第一组单元或所述第二组单元中的所述选定存储层进行编程时将在所述第一组单元或所述第二组单元中的去选单元偏置到所述通过电压上。

9.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在所述第二时段期间的第一时间点处对在所述第一组单元中的所述第一单元进行编程；

在所述第二时段期间的第二时间点处对在所述第一组单元中的所述第m单元进行编程；

在所述第二时段期间的第三时间点处对在所述第二组单元中的所述第一单元进行编程；以及

在所述第二时段期间的第四时间点处对在所述第二组单元中的所述第n单元进行编程，其中，所述第一时间点与所述第三时间点相同。