[发明专利]具有优异的强度和导电性的铜合金片材的生产方法及其生产的铜合金片材

说明书

公开了一种铜合金片材的生产方法，其中，所述铜合金片材含有0.5至1.5重量％的镍(Ni)；0.3至1.重量5％的钴(Co)；0.35至0.8重量％的硅(Si)；0.05至0.5重量％的铬(Cr)；余量的铜(Cu)；和不可避免的杂质。此外，公开了利用所述方法生产的铜合金片材。

技术领域

本公开涉及一种具有优异的强度、导电性和弯曲成形性的铜合金片材的生产方法，以及由其生产的铜合金片材。

背景技术

近来，构成电子设备的组件(电子组件)已经逐渐减小尺寸和改进。因此，用于组件的片材所需的特性多样化。电子组件中的连接器所需的特性是强度、导电性、弯曲成形性等。铜主要用作满足这些特性的材料。但是，纯铜强度低。因此，有利地使用包含一种或多种元素以增加强度的各种类型的铜合金。

通常用于提高包括铜合金在内的合金强度的硬化方法包括固溶硬化、加工硬化和沉淀硬化等。固溶硬化使合金元素在基体中形成固溶体，从而降低了基体的纯度，从而迅速降低了导电性。加工硬化倾向于增加基体中位错的密度以降低导电性。沉淀硬化可通过沉淀的成核和生长机理提高基体的纯度，同时有效地有助于硬化。作为典型的沉淀硬化铜合金，铜(Cu)-镍(Ni)-硅(Si)基(所谓的Corson基)合金具有优异的弯曲成形性，因此常用于加工性高的组件例如连接器。

但是，近年来，随着电子组件的进一步小型化，要求铜合金片材的薄型化。为了克服由于变薄而引起的电阻增加和承载能力降低，必须提高强度和导电性。此外，为了提高强度，应该增加镍(Ni)的量。但是，如果镍的添加量超过2.6重量％，则难以避免形成沉淀尺寸超过3μm的粗颗粒。由于粗颗粒在弯曲时作为裂纹的引发剂而使弯曲成形性降低，在现有的基于Colson的合金中，难以同时实现强度和弯曲成形性的两个所需特性。

通常，为了解决该问题，提出了一种方法，其中，将钴(Co)或铬(Cr)单独或组合添加至Colson基合金中，然后进行固溶热处理，然后，再进行一次或两次额外的热处理，然后进行最后的冷轧，从而提高合金的强度和导电性。

具体地说，日本专利No.6385383旨在通过在铜合金片材中添加镍(Ni)、硅(Si)、钴(Co)和铬(Cr)来改善性能。但是，此方法可能无法同时实现55.0％IACS以上的电导率和720MPa以上的0.2％屈服强度的强度。

此外，日本专利No.5647703公开了镍(Ni)和钴(Co)的总含量超过3.0质量％，且0.2％屈服强度表现出980MPa以上的优异强度。但是，超过3μm的粗颗粒的形成没有被完全抑制，因此弯曲成形性降低。此外，所得到的铜合金片材的电导率不能达到45％IACS。

此外，在上述文献中，尚未清楚地确定用于促进生产过程中钴(Co)沉淀的工艺机制。此外，在进行长期或多次沉淀热处理之后，进行精轧。因此，合金元素在铜基体中的固溶性迅速降低，因此在精轧中同时获得高强度和优异的导电性都受到限制。

公开

技术问题

本公开的目的是提供一种利用热机械两阶段沉淀生产具有优异的强度和导电性的铜(Cu)-镍(Ni)-钴(Co)-硅(Si)-铬(Cr)合金片材的方法，并提供由此生产的铜合金片材。

技术方案