[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法

权利要求书

1.一种用于具有多条位线的3D NAND闪存的操作方法，其中，所述多条位线包括多个字线(WL)层，所述操作方法包括：

在写入操作中根据从所述多个字线层的第一端到所述多个字线层的第二端的写入顺序，将数据写入到所述多条位线中的未选定位线的所述多个字线层中的WLn层中；以及

在所述多条位线中的所述未选定位线的所述多个字线层中的第一WL层上施加第一通过电压，并且在所述多条位线中的所述未选定位线的所述多个字线层中的第二WL层上施加第二通过电压；

其中，所述第一通过电压低于所述第二通过电压，从而在从验证阶段去除预脉冲阶段时缩小了所述WLn层与所述第一WL层之间的沟道电势差。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一WL层处于所述多个字线层的所述WLn层与所述第一端之间，并且所述第二WL层处于所述多个字线层的所述第二端与所述WLn层之间。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述多个字线层中的所述第一WL层处于擦除状态。

4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第二通过电压大于所述3D NAND闪存的最高编程验证电平，从而使对应的位线的沟道导通。

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一通过电压高于处于所述验证阶段中的所述3D NAND闪存的编程验证电平的最低分布。

6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述验证阶段是在所述数据被写入到所述多个字线层中的所述WLn层中之后执行的。

7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述多个字线层的所述第一端和所述第二端是顶部选择栅和底部选择栅。

8.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：

在所述未选定位线处于读取操作中时，在所述第一WL层和所述第二WL层上施加所述第二通过电压。

9.根据权利要求8所述的操作方法，其中，对应于所述验证阶段的至少一个编程验证电平的至少一个验证电压被提高，以补偿所述写入操作和所述读取操作之间的差异。

10.一种具有多条位线的3D NAND闪存，其中，所述多条位线包括多个字线层，所述3DNAND闪存包括：

选定位线；

至少一条未选定位线；

控制器，所述控制器被配置为：在写入操作中根据从所述多个字线层的第一端到所述多个字线层的第二端的写入顺序，将数据写入到所述多条位线中的所述至少一条未选定位线的所述多个字线层中的WLn层，在所述多条位线中的所述至少一条未选定位线的所述多个字线层中的第一WL层上施加第一通过电压，并且在所述多条位线中的所述至少一条未选定位线的所述多个字线层中的第二WL层上施加第二通过电压；

其中，在写入操作中根据从所述多个字线层的第一端到所述多个字线层的第二端的写入顺序，将数据写入到所述WLn层中；

其中，所述第一通过电压低于所述第二通过电压，从而在从验证阶段去除预脉冲阶段时缩小了所述WLn层与所述第一WL层之间的沟道电势差。

11.根据权利要求10所述的3D NAND闪存，其中，所述第一WL层处于所述多个字线层的所述WLn层与所述第一端之间，并且所述第二WL层处于所述多个字线层的所述第二端与所述WLn层之间。

12.根据权利要求10所述的3D NAND闪存，其中，所述多个字线层中的所述第一WL层处于擦除状态。

13.根据权利要求10所述的3D NAND闪存，其中，所述第二通过电压大于所述3D NAND闪存的最高编程验证电平，从而使对应的位线的沟道导通。