[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠层，其包括设置在衬底上的公共源极层、栅极层和绝缘层，所述栅极层和所述绝缘层是交替地堆叠的，其中，所述公共源极层包括金属硅化合物层和硅层；

在阵列区域中形成的沟道结构的阵列，沟道结构延伸穿过所述堆叠层，形成具有串联配置的晶体管的堆叠，所述沟道结构包括与所述公共源极层进行导电连接的沟道层，所述公共源极层在所述阵列区域和阶梯区域上方延伸；以及

设置在所述阶梯区域中的接触结构，所述接触结构形成与所述公共源极层的导电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属硅化合物层包括以下各项中的至少一项：钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)和铂(Pt)。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极线切割结构，具有与所述公共源极层进行导电连接的底部导电层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述栅极线切割结构包括：

位于所述底部导电层上方的上部绝缘部分。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述底部导电层包括：

与所述公共源极层的所述金属硅化合物层进行导电连接的硅化物层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阵列区域是块中的第一阵列区域，并且所述接触结构设置在位于所述块中的所述第一阵列区域和第二阵列区域之间的所述阶梯区域中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触结构是第一接触结构，并且所述阶梯区域是位于所述阵列区域的第一侧上的第一阶梯区域，并且所述半导体器件还包括：

第二接触结构，设置在第二阶梯区域中，所述第二阶梯区域位于与所述阵列区域的所述第一侧相对的第二侧，所述公共源极层在所述第二阶梯区域上方延伸，并且所述第二接触结构是与所述公共源极层进行导电连接的。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底是具有正面和背面的第一衬底，所述沟道结构形成在所述衬底的所述正面上，并且所述半导体器件还包括：

第二衬底，具有正面和背面；

晶体管，形成在所述第二衬底的所述正面上；

在所述第二衬底的所述正面上的键合结构，所述键合结构是与所述第一衬底的所述正面上的对应键合结构对准并键合的；以及

接触焊盘，设置在所述第一衬底的所述背面上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底是具有正面和背面的第一衬底，所述沟道结构形成在所述衬底的所述正面上，并且所述半导体器件还包括：

第二衬底，具有正面和背面；

晶体管，形成在所述第二衬底的所述正面上；

位于所述第二衬底的所述正面上的键合结构，该键合结构是与所述第一衬底的所述正面上的对应键合结构对准并键合的；以及

接触焊盘，设置在所述第二衬底的所述背面上。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括源极牺牲层、导电层、栅极牺牲层和绝缘层；

在与阵列区域相邻的阶梯区域中，将阶梯形成到所述堆叠层中；

在所述阵列区域中形成沟道结构，所述沟道结构包括被一个或多个绝缘层围绕并延伸到所述堆叠层中的沟道层；

用与所述沟道层进行导电连接的源极层来替换所述源极牺牲层，所述源极层和所述导电层形成公共源极层；

用栅极层替换所述栅极牺牲层；以及

在所述阶梯区域结构中形成第一接触结构，所述第一接触结构形成与所述公共源极层的导电连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述堆叠层还包括：

在所述源极牺牲层上沉积金属层。