[发明专利]用于存储器的程序暂停和恢复的控制方法与控制器

权利要求书

1.一种用于存储器阵列的控制方法，包括：

在编程阶段中对所述存储器阵列的位单元进行编程；以及

在放电阶段中对所述存储器阵列的所述位单元进行放电；

其中，所述编程阶段包括：

利用多个编程电压脉冲对所述存储器阵列的所述位单元进行编程；

其中，所述放电阶段在时间上与所述编程阶段重叠，并且其中，所述放电阶段包括：

隔离所述存储器阵列的所述位单元的选择线；

生成对所述存储器阵列的所述位单元的编程电压脉冲；以及

在所述编程阶段结束之前使能接口的底部选择栅极线以对所述存储器阵列的所述位单元进行放电；

其中，所述编程阶段是在所述放电阶段之后通过暂停命令来暂停到暂停阶段的；

其中，所述暂停命令是在所述多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。

2.根据权利要求1所述的控制方法，还包括：

在验证阶段中对所述存储器阵列的所述位单元进行验证；

其中，所述验证阶段包括：

验证所述存储器阵列的所述位单元是否被编程；

其中，当不存在暂停命令时，所述验证阶段跟随所述编程阶段；

其中，当存在暂停命令时，所述验证阶段跟随所述放电阶段。

3.根据权利要求1所述的控制方法，还包括：

在所述放电阶段中生成清理电压脉冲，以对所述存储器阵列的所述位单元进行放电。

4.根据权利要求1所述的控制方法，还包括：

在所述放电阶段中生成虚设的编程电压脉冲。

5.根据权利要求4所述的控制方法，还包括：

通过虚设的编程命令来执行所述虚设的编程电压脉冲。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述放电阶段跟随所述多个编程电压脉冲中的每个编程电压脉冲。

7.根据权利要求1所述的控制方法，还包括：

在所述放电阶段中使接口的顶部选择栅极线和所述底部选择栅极线的电压和波形与在所述编程阶段中的电压和波形相同。

8.一种用于对存储器阵列进行编程的控制器，包括：

存储单元，其被配置为存储程序代码；以及

处理单元，其被配置为执行以下步骤：

在编程阶段中对所述存储器阵列的位单元进行编程；以及

在放电阶段中对所述存储器阵列的所述位单元进行放电；

其中，所述编程阶段包括：

利用多个编程电压脉冲对所述存储器阵列的所述位单元进行编程；

其中，所述放电阶段在时间上与所述编程阶段重叠，并且其中，所述放电阶段包括：

隔离所述存储器阵列的所述位单元的选择线；

生成对所述存储器阵列的所述位单元的编程电压脉冲；以及

在所述编程阶段结束之前使能接口的底部选择栅极线以对所述存储器阵列的所述位单元进行放电；

其中，所述编程阶段是在所述放电阶段之后通过暂停命令被暂停到暂停阶段的；

其中，所述暂停命令是在所述多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。

9.根据权利要求8所述的用于对存储器阵列进行编程的控制器，所述编程阶段还包括：

在验证阶段中对所述存储器阵列的所述位单元进行验证；

其中，所述验证阶段包括：

验证所述存储器阵列的所述位单元是否被编程；

其中，当不存在暂停命令时，所述验证阶段跟随所述编程阶段；

其中，当存在暂停命令时，所述验证阶段跟随所述放电阶段；

其中，所述暂停命令是在所述多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。

10.根据权利要求8所述的用于对存储器阵列进行编程的控制器，其中，所述控制器还在所述放电阶段中生成清理电压脉冲以对所述存储器阵列的所述位单元进行放电。