[发明专利]用于存储器的程序暂停和恢复的控制方法与控制器

说明书

一种用于存储器阵列的控制方法，该控制方法包括：在编程阶段中对存储器阵列的位单元进行编程；以及在放电阶段中对存储器阵列的位单元进行放电；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对存储器阵列的位单元进行编程；其中，放电阶段包括：隔离存储器阵列的位单元的选择线；以及生成对存储器阵列的位单元的编程电压脉冲；其中，编程阶段可以是在放电阶段之后通过暂停命令被暂停到暂停阶段的；其中，暂停命令是在多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。

技术领域

概括地说，本发明涉及控制方法和控制器，以及更具体地说，本发明涉及用于存储器的程序暂停和恢复的控制方法与控制器。

背景技术

半导体存储器广泛地用于诸如蜂窝电话、数码照相机、个人数字助理、医疗电子设备、移动计算设备和非移动计算设备的各种电子设备。非易失性存储器允许信息被存储和保持。非易失性存储器的示例包括闪存(例如，NAND型和NOR型闪存)和电可擦除可编程只读存储器(电可擦除可编程只读存储器、EEPROM)等。

在非易失性存储器中，每个存储元件被配置为存储电荷、电压或其它电参数，以表示在从浮栅晶体管形成的多个位单元(或存储元件)中的数据。程序操作通常在多个存储单元的组或页面中发生。读操作可以在存储单元的页面中或在较小的一组存储单元中发生。但是，在每个页面中单元的数量增加的情况下，可能需要一接收到读命令就立即暂停程序操作。

因此，有必要改进现有技术。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供用于存储器的程序暂停和恢复的控制方法和控制器，以改善现有技术的缺点。

本发明的实施例公开了用于存储器阵列的控制方法，该控制方法包括：在编程阶段中对存储器阵列的位单元进行编程；以及在放电阶段中对存储器阵列的位单元进行放电；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对存储器阵列的位单元进行编程；其中，放电阶段包括：隔离存储器阵列的位单元的选择线；以及生成对存储器阵列的位单元的编程电压脉冲；其中，编程阶段可以是在放电阶段之后通过暂停命令被暂停到暂停阶段的；其中，暂停命令是在多个编程电压脉冲中的一个编程电压脉冲期间接收的。

本发明的实施例还公开了用于对存储器阵列进行编程的控制器，用于对存储器阵列进行编程的控制器包括：存储单元，其被配置为存储程序代码；以及处理单元，其被配置为执行以下步骤：在编程阶段中对存储器阵列的位单元进行编程；以及在放电阶段中对存储器阵列的位单元进行放电；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对存储器阵列的位单元进行编程；其中，放电阶段包括：隔离存储器阵列的位单元的选择线；以及生成对存储器阵列的位单元的编程电压脉冲；其中，编程阶段可以是在放电阶段之后通过暂停命令被暂停到暂停阶段的。

附图说明

在阅读了以下在各个附图和绘图中示出的优选实施例的详细说明之后，本发明的这些和其它目的对于本领域的普通技术人员无疑将变得显而易见。

图1是现有技术中用于存储器阵列的编程过程的波形的示意图。

图2是现有技术中用于存储器阵列的编程过程中的暂停的波形的示意图。

图3是现有技术中在编程过程中的编程电压脉冲的波形的示意图。

图4是根据本发明的实施例的用于存储器阵列的编程过程的波形的示意图。

图5A和图5B是根据本发明的实施例的用于存储器阵列的编程过程的波形的示意图。

图6是根据本发明的实施例的用于存储系统的编程过程60的示意图。

图7是根据本发明的实施例的存储系统70的示意图。

具体实施方式