[发明专利]存储器件及其形成方法有效
申请号: | 202080001175.8 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111771282B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 吴真用 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11575 | 分类号: | H01L27/11575;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 赵磊;刘柳 |
地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种存储器件,其包括:
衬底;
在所述衬底上的阶梯结构,其中,所述阶梯结构包括多个字线层;
串驱动器结构,在与所述衬底相对的一侧上在所述阶梯结构之上,所述串驱动器结构包括多个晶体管,以分别地对所述多个字线层进行寻址;以及
金属布线结构,其沿着相对于所述衬底的横向表面的垂直方向,位于所述串驱动器结构和所述阶梯结构之间,其中:
所述串驱动器结构和所述金属布线结构是基于所述阶梯结构的在所述多个字线层的延伸方向上的横向中心区域,与所述阶梯结构垂直地对齐的。
2.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述阶梯结构的横向中心区域具有约为所述阶梯结构总的横向长度的50%或更小的横向长度。
3.根据权利要求1所述的器件,其中:
与所述阶梯结构垂直地对齐的所述串驱动器结构和所述金属布线结构各自具有落入所述阶梯结构的横向中心区域内的横向中心线。
4.根据权利要求1所述的器件,其中:
与所述阶梯结构垂直地对齐的所述串驱动器结构和所述金属布线结构各自具有与所述阶梯结构的横向中心区域重叠的横向中心区域。
5.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述阶梯结构具有基于在所述多个字线层之中的字线层的最大阶梯长度确定的横向中心线,并且所述横向中心线落入所述横向中心区域内。
6.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述串驱动器结构、所述金属布线结构和所述阶梯结构是基于所述阶梯结构的横向中心线垂直地对齐并且居中的。
7.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述金属布线结构包括多个金属层结构,所述多个金属层结构排列在所述阶梯结构和所述串驱动器结构之间,其中:
一个金属层结构将所述多个晶体管中的一个晶体管与所述多个字线层中的字线层连接,以用于信号路由。
8.根据权利要求7所述的器件,其中,每个金属层结构包括:
在电介质层中沿横向方向延伸的至少一个横向取向的金属层,以及
在所述电介质层中沿所述垂直方向延伸的多个垂直取向的金属层。
9.根据权利要求8所述的器件,其中:
所述多个垂直取向金属层包括电连接到相应字线层的第一垂直取向金属层和电连接到相应晶体管的第二垂直取向金属层。
10.根据权利要求9所述的器件,其中:
所述第一垂直取向金属层和所述第二垂直取向金属层通过所述至少一个横向取向的金属层来连接。
11.根据权利要求9所述的器件,其中:
每个金属层结构中的所述至少一个横向取向的金属层具有不同的横向长度。
12.根据权利要求1所述的器件,还包括:
字线接触插头,其在远离所述衬底延伸的一侧接触相应的字线层,以允许在所述阶梯结构和所述串驱动器结构之间的直接连接。
13.根据权利要求1所述的器件,还包括:
多个存储器单元串,其在所述垂直方向上延伸并且被形成在所述衬底之上的单元阵列区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的