[发明专利]存储器件及其形成方法

说明书

提供了存储器件和形成方法。所述存储器件包括：衬底；衬底上的阶梯结构；在与衬底相对的一侧上的阶梯结构上的串驱动器结构；以及金属布线结构，其沿着相对于衬底的横向表面的垂直方向，位于串驱动器结构和阶梯结构之间。阶梯结构包括多个字线层。串驱动器结构包括多个晶体管，以单独对多个字线层进行寻址。基于阶梯结构的横向中心区域，串驱动器结构和金属布线结构与阶梯结构垂直对齐。

技术领域

概括地说，本公开内容涉及存储器件领域，更具体地，涉及存储器件及其形成方法。

背景技术

非易失性存储器件可以是NAND、NOR、交叉点等形式的三维(3D)存储器件。非易失性存储器件可以包括大量的以行和列排列的非易失性存储器单元。存储器单元彼此堆叠。存储器单元中的每组存储器单元可以共享多条存取线，例如字线和位线。

在NAND存储器件中，串驱动器晶体管(或字线驱动器)和相应字线之间的连接是一个重要的架构决定，它影响NAND管芯面积、管芯性能和系统度量。串驱动器晶体管需要支持高电压和击穿条件，并且占据NAND管芯的相当大的面积。串驱动器晶体管的排列影响存储器件中的接触面积可用性和块高度尺寸。

此外，随着字线层的数量增加，总串驱动器面积增加，这不仅影响存储器件的管芯尺寸，还影响诸如页面缓存器的其它外围器件的沉积。

所公开的器件和方法旨在解决上述一个或多个问题以及本领域的其它问题。

发明内容

本公开内容的一个方面提供了一种存储器件。所述存储器件包括：衬底；衬底上的阶梯结构；在与衬底相对的一侧上的阶梯结构上的串驱动器结构；以及金属布线结构，其沿着相对于衬底的横向表面的垂直方向，位于串驱动器结构和阶梯结构之间。阶梯结构包括多个字线层。串驱动器结构包括多个晶体管，以单独对多个字线层进行寻址。基于阶梯结构的横向中心区域，串驱动器结构和金属布线结构与阶梯结构垂直对齐。

本公开内容的另一方面提供了一种用于形成存储器件的方法。交替的导体/电介质堆叠体形成在衬底之上，并且包括衬底之上的阶梯结构的多个字线层。形成一种半导体器件，包括串驱动器结构和金属布线结构，金属布线结构接触在所述串驱动器结构上，所述串驱动器结构包括多个晶体管。半导体器件的金属布线结构与衬底上的阶梯结构对齐并且结合，以使得串驱动器结构和金属布线结构基于阶梯结构的横向中心区域与阶梯结构垂直地对齐，并且串驱动器结构的多个晶体管分别对阶梯结构的多个字线层进行寻址。

根据本公开内容的描述、权利要求和附图，本领域技术人员可以理解本公开内容的其它方面。

附图说明

根据各种公开内容的实施例，以下附图仅仅是用于说明目的的示例，并不旨在限制本公开内容的范围。

图1示出了与本公开内容中各种公开内容的实施例一致的示例性存储器件的一部分；

图2示出了根据本公开内容的各种实施例的另一示例性存储器件的一部分；

图3示出了与本公开内容中各种所公开的实施例一致的存储器件的示例性布线布局；

图4示出了与本公开内容中各种所公开的实施例一致的存储器件的另一示例性布线布局；

图5示出了另一存储器件的布线布局；

图6示出了另一存储器件的另一布线布局；以及

图7A-7C示出了与本公开内容中各种公开内容的实施例一致的示例性存储器件的加工过程中的某些阶段的半导体结构的示意图。

具体实施方式

现在将详细参考在附图中示出的本发明的示例性实施例。在可能的情况下，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。