[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底上的底部选择栅结构，所述底部选择栅结构包括垂直地穿过所述底部选择栅结构而形成的切缝；

在所述底部选择栅结构上形成的单元层结构；以及

栅线缝隙，其是垂直地穿过所述单元层结构和所述底部选择栅结构、进入所述衬底而形成的，并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域，其中：

所述栅线缝隙包括在所述多个指状区域中的第一指状区域和第二指状区域之间的第一栅线缝隙，所述第一栅线缝隙包括栅线子缝隙，并且

所述第一指状区域被所述切缝中的第一切缝划分为第一串区域和第二串区域，其中：

所述第一切缝是沿第二横向方向延伸、在所述第一指状区域中形成的，并且所述第一切缝还沿所述第一横向方向延伸到至少所述第二指状区域中，并且

由所述第一切缝限定的至少一个底部选择栅位于至少所述第二指状区域中，以通过在所述第一栅线缝隙中的相邻栅线子缝隙之间的中间部分来连接到在所述第一串区域中的单元串。

2.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述切缝还包括第二切缝，所述第二切缝是在所述第二指状区域中形成的，并且连接到所述第一栅线缝隙中的栅线子缝隙。

3.根据权利要求2所述的器件，其中：

所述第二切缝限定了至少位于所述第二指状区域中的另外至少一个底部选择栅，以通过在所述第一栅线缝隙中的相应相邻栅线子缝隙之间的相应中间部分来连接至所述第一指状区域的所述第二串区域中的单元串。

4.根据权利要求3所述的器件，其中：

所述第二切缝还沿所述第一横向方向延伸到所述多个指状区域中的另一个指状区域中，以进一步提供位于所述另一个指状区域中的另外底部选择栅，以连接到所述第一指状区域的所述第二串区域中的所述单元串。

5.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第一切缝沿所述第一横向方向进一步延伸到所述多个指状区域中的另一个指状区域中，以进一步提供位于所述另一个指状区域中的另外底部选择栅，以连接到所述第一串区域中的所述单元串。

6.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述多个指状区域中的每个指状区域被划分成两个或更多串区域。

7.根据权利要求1所述的器件，还包括：

虚设沟道，其是在所述衬底上方的所述多个指状区域中形成的；以及

触点，其是在所述多个指状区域中的不包括所述第一指状区域的所述底部选择栅结构的底部选择栅上形成的。

8.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第一指状区域被限定在连续的栅线缝隙与包括所述栅线子缝隙的所述第一栅线缝隙之间，以及

壁结构是在所述衬底上方的所述第一指状区域中形成的，其中，所述壁结构包括交替的电极/绝缘层对的堆叠结构。

9.根据权利要求1所述的器件，其中：

另外的栅线子缝隙被形成于连接到一个或多个切缝的指状区域内，以形成对应的串区域。

10.根据权利要求1所述的器件，还包括：

另一个底部选择栅结构，其中：

所述衬底包括阶梯结构区域，并且在所述衬底的所述阶梯结构区域中形成掺杂阱，以及

基于所述掺杂阱，对称地在所述衬底的所述阶梯结构区域上形成所述底部选择栅结构和所述另一个底部选择栅结构。

11.根据权利要求10所述的器件，其中：

所述底部选择栅结构的顶部和所述另一个底部选择栅结构的顶部具有距所述衬底不同的高度。

12.根据权利要求10所述的器件，其中：

所述衬底还包括第一阵列区域和第二阵列区域，以及

所述阶梯结构区域是在所述第一阵列区域和所述第二阵列区域之间沿着所述第二横向方向布置的。