[发明专利]用于形成三维存储器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成三维（3D）存储器件的方法，包括：

在衬底的第一侧处相继形成停止层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层；

形成穿过所述电介质叠层、所述第二多晶硅层、所述牺牲层和所述第一多晶硅层垂直地延伸、在所述停止层处停止的沟道结构；

形成穿过所述电介质叠层和所述第二多晶硅层垂直地延伸、在所述牺牲层处停止的开口，以暴露所述牺牲层的部分；

穿过所述开口利用在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替所述牺牲层；

从与所述衬底的所述第一侧相对的第二侧移除所述衬底，在所述停止层处停止；以及

在移除所述衬底之后，形成穿过所述停止层垂直地延伸的源极接触结构，以与所述第一多晶硅层接触，其中所述源极接触结构深入所述第一多晶硅层内部。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在移除所述衬底之前，在所述开口中形成绝缘结构。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：穿过所述开口利用存储器叠层代替所述电介质叠层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在移除所述衬底之后：

移除所述停止层；

形成与所述第一多晶硅层接触的电介质层；以及

形成穿过所述电介质层垂直地延伸的源极接触结构，以与所述第一多晶硅层接触。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述停止层包括相继形成第一停止层和第二停止层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一停止层包括氮化硅，并且所述第二停止层包括高介电常数（高k）电介质。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述沟道结构在所述第二停止层处停止，并且移除所述衬底在所述第一停止层处停止。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲层包括相继形成第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一牺牲层包括氮氧化硅，所述第二牺牲层包括多晶硅，并且所述第三牺牲层包括氮氧化硅。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述开口在所述第三牺牲层处停止。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道结构包括：

形成穿过所述电介质叠层、所述第二多晶硅层、所述牺牲层和所述第一多晶硅层垂直地延伸的沟道孔；以及

沿着所述沟道孔的侧壁相继形成存储器膜和半导体沟道。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，利用所述第三多晶硅层代替所述牺牲层包括：

穿过所述开口移除所述牺牲层，以形成在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间的腔；

穿过所述开口移除所述存储器膜的部分，以暴露沿着所述沟道孔的所述侧壁的所述半导体沟道的部分；以及

穿过所述开口将多晶硅沉积到所述腔内，以形成所述第三多晶硅层。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法，其中，所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层和所述第三多晶硅层中的至少一者掺杂有N型掺杂剂，并且所述方法还包括：在所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层和所述第三多晶硅层中扩散所述N型掺杂剂。

14.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法，还包括：在移除所述衬底之前，在所述开口中形成源极接触结构。