[发明专利]用于形成三维存储器件的方法

说明书

公开了3D存储器件和用于形成其的方法的实施方式。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在衬底的第一侧处相继形成停止层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层。形成穿过电介质叠层、第二多晶硅层、牺牲层和第一多晶硅层垂直地延伸、在停止层处停止的沟道结构。形成穿过电介质叠层和第二多晶硅层垂直地延伸、在牺牲层处停止的开口，以暴露牺牲层的部分。穿过开口利用在第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替牺牲层。从与衬底的第一侧相对的第二侧移除衬底，在停止层处停止。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年4月14日提交的标题为“THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICEWITH BACKSIDE SOURCE CONTACT”的国际申请第PCT/CN2020/084600号、于2020年4月14日提交的标题为“METHOD FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH BACKSIDESOURCE CONTACT”的国际申请第PCT/CN2020/084603号、于2020年4月27日提交的标题为“THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME”的国际申请第PCT/CN2020/087295号和于2020年4月27日提交的标题为“three-dimensional memorydevice and method for forming the same”的国际申请第PCT/CN2020/087296号的优先权的利益，所有这些申请通过引用被全部并入本文中。

背景技术

本公开内容的实施方式涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺来将平面存储器单元按比例缩小到较小的尺寸。然而，当存储器单元的特征尺寸接近下限时，平面工艺和制造技术变得越来越有挑战性且造价昂贵。因此，平面存储器单元的存储器密度接近上限。

3D存储器架构可解决在平面存储器单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制去往和来自存储器阵列的信号的外围器件。

发明内容

在本文公开了3D存储器件和用于形成其的方法的实施方式。

在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在衬底的第一侧处相继形成停止层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层。形成穿过电介质叠层、第二多晶硅层、牺牲层和第一多晶硅层垂直地延伸、在停止层处停止的沟道结构。形成穿过电介质叠层和第二多晶硅层垂直地延伸、在牺牲层处停止的开口，以暴露牺牲层的部分。穿过开口利用在第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替牺牲层。从与衬底的第一侧相对的第二侧移除衬底，在停止层处停止。

在另一示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在衬底的第一侧处相继形成停止层、缓冲层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层。形成穿过电介质叠层、第二多晶硅层、牺牲层和第一多晶硅层垂直地延伸到缓冲层内的沟道结构。形成穿过电介质叠层和第二多晶硅层垂直地延伸、在牺牲层处停止的开口，以暴露牺牲层的部分。穿过开口利用在第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替牺牲层。从与衬底的第一侧相对的第二侧移除衬底，在停止层处停止。

在又一示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在衬底的第一侧处相继形成停止层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层。形成穿过电介质叠层、第二多晶硅层、牺牲层和第一多晶硅层垂直地延伸、在停止层处停止的沟道结构。利用在第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替牺牲层。第一多晶硅层、第二多晶硅层和第三多晶硅层中的至少一者掺杂有N型掺杂剂。在第一多晶硅层、第二多晶硅层和第三多晶硅层中扩散N型掺杂剂。从与衬底的第一侧相对的第二侧移除衬底，在停止层处停止。

附图说明