[发明专利]半导体装置和其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一III族氮化物层；

第二III族氮化物层，所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触；

第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上；

结构，所述结构邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面，其中所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同；以及

栅极层，所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述结构位于所述栅极层、所述第一接触层或两者下方。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从俯视图的角度看，所述结构位于所述第一接触层与所述第二接触层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述结构在所述第一接触层、所述第二接触层或两者下方延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述结构在所述半导体装置的一个单元内具有沿第一方向的宽度，并且所述结构的所述宽度小于所述栅极层沿所述第一方向的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述结构具有在所述第一接触层与所述第二接触层之间延伸的长度，并且所述结构的所述长度等于或小于所述第一接触层与所述第二接触层之间的距离。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述结构包括经掺杂氮化物半导体材料、经掺杂III-V族层、n型多晶硅层、介电材料或其组合，其中所述经掺杂氮化物半导体材料具有包括He⁺、N⁺、O⁺、Fe⁺、Ar⁺、Kr⁺或其组合的掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层形成邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的所述界面的二维电子气2DEG层，其中所述结构与所述2DEG层直接接触。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述2DEG层包括直接接触所述结构的第一部分，所述第一部分具有沿第一方向的宽度，并且所述2DEG层的所述第一部分的所述宽度小于所述栅极层沿所述第一方向的宽度。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述结构在所述半导体装置的一个单元内具有沿所述第一方向的宽度，并且所述结构的所述宽度小于所述2DEG层的所述第一部分的所述宽度。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述2DEG层的所述第一部分的所述宽度对所述结构的所述宽度的比率为约2到约20。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述2DEG层进一步包括连接到所述第一部分的第二部分，所述第二部分具有沿所述第一方向的宽度，并且所述第二部分的所述宽度基本上等于所述栅极层的所述宽度。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述2DEG层的所述第二部分位于所述栅极层或所述第一接触层下方。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括场板，从俯视图的角度看，所述场板安置在所述第一接触层与所述栅极层之间，其中所述结构位于所述场板下方。