[发明专利]半导体装置和其制作方法

说明书

本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含第一III族氮化物层、第二III族氮化物层、第一接触层、第二接触层、结构以及栅极层。所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触。所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上。所述结构邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面，并且所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同。所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置和其制作方法，并且更具体地涉及一种具有III族氮化物层、接触层、栅极层以及其材料与III族氮化物层的材料不同的结构的半导体装置。

背景技术

包含直接带隙半导体的组件，例如包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体组件由于其特性而可以在各种条件或各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。

半导体组件可以包含异质结双极性晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、调制掺杂FET(MODFET)等。

发明内容

在本公开的一些实施例中，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包含第一III族氮化物层、第二III族氮化物层、第一接触层、第二接触层、结构以及栅极层。所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触。所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上。所述结构邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面，并且所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同。所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。

在本公开的一些实施例中，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包含第一III族氮化物层、第二III族氮化物层、第一接触层、第二接触层、多个结构以及栅极层。所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触。所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上。从俯视图的角度看，所述多个结构位于所述第一接触层与所述第二接触层之间，并且所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同。所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。

在本公开的一些实施例中，提供了一种用于制造半导体装置的方法。所述方法包含：形成第一III族氮化物层；形成与所述第一III族氮化物层直接接触的第二III族氮化物层；以及在所述第二III族氮化物层之上形成第一接触层和第二接触层。所述用于制造半导体装置的方法进一步包含：在邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面处形成结构，其中所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同；以及从俯视图的角度看，在所述第一接触层与所述第二接触层之间形成栅极层。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是根据本公开的一些实施例的半导体装置的横截面视图；

图1B是根据本公开的一些实施例的半导体装置的俯视图；

图2A是根据本公开的一些实施例的半导体装置的俯视图；

图2B是根据本公开的一些实施例的沿图2A中的线C-C'的横截面视图；

图3A是根据本公开的一些实施例的半导体装置的俯视图；

图3B是根据本公开的一些实施例的半导体装置的俯视图；

图3C是根据本公开的一些实施例的半导体装置的俯视图；