[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202080001456.3 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111758166A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李长安;张铭宏;唐军;杜子明 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包含：
衬底；
于所述衬底上的第一氮化物半导体层；
于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的能隙大的能隙；
设置于所述第二氮化物半导体层上的中间层；以及
设置于所述中间层上的导电结构，
其中第一平坦介面形成于所述中间层和所述第二氮化物半导体层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二平坦介面形成于所述中间层和所述导电结构之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中间层和所述导电结构与所述第二氮化物半导体层形成欧姆接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中间层包含：氮化钛(TiN)和氮化铝(AlN)的至少一者。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中间层的厚度介于约4.5nm与约15nm之间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述中间层的所述厚度约5nm。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二氮化物半导体层包含：氮化铝镓(AlGaN)。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二氮化物半导体层缺乏钛(Ti)。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电结构包含：钛(Ti)、铝(Al)和硅(Si)的至少一者。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一氮化物半导体层包含：氮化镓(GaN)。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包含：
设置于所述第二氮化物半导体层上的闸极导体；以及
设置于所述第二氮化物半导体层和所述闸极导体上的钝化层，
其中所述闸极导体是藉由所述钝化层而与所述中间层分离。
12.一种半导体器件，包含：
衬底；
于所述衬底上的第一氮化物半导体层；
于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的能隙大的能隙；
设置于所述第二氮化物半导体层上的第一中间层；以及
设置于所述第一中间层上的第一导电结构，
其中在所述第一导电结构下的所述第一中间层具有实质上恒定的厚度。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包含：
设置于所述第二氮化物半导体层上的第二中间层；以及
设置于所述第二中间层上的第二导电结构，
其中在所述第二导电结构下的所述第二中间层具有实质上恒定的厚度。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一中间层与所述第二中间层是分离的。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一中间层包含：金属氮化物。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述金属氮化物包含：钛(Ti)。
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述金属氮化物包含：铝(Al)。
18.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一中间层具有介于约4.5nm与约15nm之间的厚度。
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