[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开的一些实施例提供一种半导体器件(semiconductor device)。所述半导体器件包含：衬底；于所述衬底上的第一氮化物半导体层；于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体的能隙大的能隙；设置于所述第二氮化物半导体上的中间层；以及设置于所述中间层上的导电结构，其中第一平坦介面形成于所述中间层和所述第二氮化物半导体之间。

技术领域

本揭露系关于一种半导体器件，特别系关于包含高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)的半导体器件。

背景技术

包括直接能隙(direct bandgap)之半导体组件，例如包括三五族材料或III-V族化合物(III-V compounds)之半导体组件，由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。

上述半导体组件可包括HEMT、异质界面双极晶体管(Heterojunction BipolarTransistor,HBT)、异质界面场效晶体管(Heterojunction Field Effect Transistor,HFET)、或调变掺杂场效晶体管(MOdulation-Doped FET,MODFET)。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种半导体器件。所述半导体器件包含：衬底；于所述衬底上的第一氮化物半导体层；于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的能隙大的能隙；设置于所述第二氮化物半导体层上的中间层；以及设置于所述中间层上的导电结构，其中第一平坦介面形成于所述中间层和所述第二氮化物半导体层之间。

本公开的一些实施例提供一种半导体器件。所述半导体器件包含：衬底；于所述衬底上的第一氮化物半导体层；于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的能隙大的能隙；设置于所述第二氮化物半导体层上的第一中间层；以及设置于所述第一中间层上的第一导电结构，其中在所述第一导电结构下的所述第一中间层具有实质上恒定的厚度。

本公开的一些实施例提供一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包含：提供衬底；于所述衬底上形成第一氮化物半导体层；于所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的能隙大的能隙；于所述第二氮化物半导体层上形成中间层以停止第一元素的扩散；于所述中间层上形成具有所述第一元素的第一导电层；以及执行退火操作。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意，各个特征可以不按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A为根据本案之某些实施例的半导体器件的侧视图；

图1B为根据本案之某些实施例的半导体器件的侧视图；

图2为根据本案之某些实施例的结构放大图；

图3A、图3B、图3C、图3D及图3E所示为制造根据本案之某些实施例的半导体器件之若干操作；

图4为根据本案之某些实施例的半导体器件的侧视图；以及

图5为根据本案之某些实施例的结构放大图。

具体实施方式