[发明专利]电容器及其制作方法

说明书

本申请实施例提供一种电容器及其制作方法，能够制备低成本电容器，电容器包括：至少一个叠层结构，叠层结构包括n层导电层和m层电介质层，n层导电层和m层电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，该n层导电层中的所有奇数层导电层形成至少一个第一台阶结构，该n层导电层中的所有偶数层导电层形成至少一个第二台阶结构，m、n为正整数；至少一个第一外接电极，通过第一台阶结构的台阶面电连接至该n层导电层中的部分或者全部奇数层导电层；至少一个第二外接电极，通过第二台阶结构的台阶面电连接至该n层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

技术领域

本申请涉及电容器领域，并且更具体地，涉及电容器及其制作方法。

背景技术

电容器在电路中可以起到旁路、滤波、去耦等作用，是保证电路正常运转的不可或缺的一部分。为了提高电容器的容值密度，通常可以基于高深宽比的三维结构制备硅电容。然而，高深宽比的三维结构本身的加工难度较大，而且在此三维结构上制作共形的、厚度均匀且没有缺陷的导电层、电介质层也需要极高的工艺水准。如何制备小体积、高容量、低成本的电容器，成为一个亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种电容器及其制作方法，能够在制备小体积、高容值密度的电容器的同时降低电容器的成本。

第一方面，提供了一种电容器，所述电容器包括：

至少一个叠层结构，所述叠层结构包括n层导电层和m层电介质层，所述n层导电层和所述m层电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，并且所述n层导电层中的所有奇数层导电层形成至少一个第一台阶结构，所述n层导电层中的所有偶数层导电层形成至少一个第二台阶结构，m、n为正整数；

至少一个第一外接电极，所述第一外接电极通过所述至少一个第一台阶结构的台阶面电连接至所述n层导电层中的部分或者全部奇数层导电层；

至少一个第二外接电极，所述第二外接电极通过所述至少一个第二台阶结构的台阶面电连接至所述n层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

在本申请实施例中，叠层结构形成有至少一个第一台阶结构，以露出n层导电层中的所有奇数层导电层，且叠层结构形成有至少一个第二台阶结构，以露出n层导电层中的所有偶数层导电层，第一外接电极通过至少一个第一台阶结构的台阶面电连接至n层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，第二外接电极通过至少一个第二台阶结构的台阶面电连接至n层导电层中的部分或者全部偶数层导电层，从而能够制备三维硅电容器，能够在制备小体积、高容值密度的电容器的同时降低电容器的成本。

进一步地，能够在平坦的衬底表面制作叠层结构，并利用光刻胶修整工艺使叠层结构上形成至少一个第一台阶结构和至少一个第二台阶结构，避免了由于制备3D结构相关的刻蚀、沉积等昂贵工艺，并且通过光刻胶修整工艺有效减少了光刻次数，降低了电容器的成本。

在一些可能的实现方式中，所述至少一个第一台阶结构与所述至少一个第二台阶结构分别位于所述叠层结构的不同侧。

在一些可能的实现方式中，所述至少一个第一台阶结构与所述至少一个第二台阶结构位于所述叠层结构的同一侧。

在一些可能的实现方式中，所述电容器还包括衬底，所述至少一个叠层结构设置于所述衬底的上方。

在一些可能的实现方式中，所述n层导电层中，与所述衬底的距离越小，在所述衬底上的投影面积越大。

在一些可能的实现方式中，所述电容器还包括：第一导电材料层和第二导电材料层，

其中，所述第一导电材料层通过所述至少一个第一台阶结构的部分或者全部台阶面电连接所述n层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二导电材料层通过所述至少一个第二台阶结构的部分或者全部台阶面电连接所述n层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。