[发明专利]两步L形选择性外延生长

权利要求书

1.一种处理半导体器件的方法，所述半导体器件具有形成在衬底上方的源极牺牲层之上的堆叠层、垂直延伸穿过所述堆叠层和所述源极牺牲层的沟道结构、垂直延伸穿过所述堆叠层的栅极线切口沟槽、以及覆盖所述堆叠层的未覆盖的顶表面和未覆盖的侧表面的间隔层，所述方法包括：

通过去除所述源极牺牲层来暴露所述沟道结构的下侧壁；

形成保护层，所述保护层具有覆盖所述沟道结构的所述下侧壁的第一部分、覆盖所述衬底的第二部分、以及覆盖所述间隔层的第三部分；

通过去除所述保护层的所述第一部分和所述沟道结构的绝缘层来暴露所述沟道结构的沟道层；

在所述沟道结构的暴露的沟道层之上形成初始源极连接层；

通过去除所述保护层的所述第二部分来暴露所述衬底；以及

在所述初始源极连接层和暴露的衬底之上形成源极连接层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述保护层的所述第一部分比所述保护层的所述第二部分更薄；并且

所述保护层的所述第二部分比所述保护层的所述第三部分更薄。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述保护层的所述第一部分和所述沟道结构的所述绝缘层包括：

经由所述栅极线切口沟槽的第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺用于去除所述保护层的所述第一部分，并且部分地去除所述保护层的所述第二部分和所述第三部分；以及

经由所述栅极线切口沟槽的第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺用于去除所述沟道结构的所述绝缘层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，去除所述保护层的所述第二部分包括：

执行经由所述栅极线切口沟槽的第三蚀刻工艺，以去除所述保护层的所述第二部分并且部分地去除所述保护层的所述第三部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过第一选择性沉积工艺来执行在所述沟道结构的所述暴露的沟道层之上形成初始源极连接层，所述第一选择性沉积工艺仅在所述暴露的沟道层上沉积初始源极连接层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过第二选择性沉积工艺来执行在所述初始源极连接层和所述暴露的衬底之上形成所述源极连接层，所述第二选择性沉积工艺仅在所述初始源极连接层和所述暴露的衬底上沉积所述源极连接材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极连接层充当公共源极线，或者将所述沟道层电连接到所述半导体器件的源极区。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，暴露所述沟道结构的下侧壁还包括：

去除在所述衬底上的氧化物层和所述沟道结构的下氧化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层是氧化物层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述堆叠层包括交替的绝缘层和牺牲字线层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

去除所述保护层的所述第三部分；

去除所述间隔层；以及

用字线层替换所述牺牲字线层。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述堆叠层中形成阶梯区；以及

在所述阶梯区中形成接触结构，所述接触结构与字线层电耦合以向所述沟道结构提供控制信号。