[发明专利]用于三维存储器中的字线触点的阶梯结构

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

膜堆叠层，所述膜堆叠层包括垂直地堆叠在衬底上的多个导电层和电介质层对，其中，每个导电层和电介质层对包括电介质层和导电层；以及

第一阶梯区域，所述第一阶梯区域包括：

形成在所述膜堆叠层中的第一阶梯结构；

形成在所述膜堆叠层中的第二阶梯结构，其中，所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构均在第一方向上横向地延伸，并且包括所述多个导电层和电介质层对；以及

连接所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构的阶梯桥。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述阶梯桥包括所述多个导电层和电介质层对。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述阶梯桥被配置为将所述第一阶梯结构的每个导电层和电介质层对中的所述导电层与所述第二阶梯结构的对应的导电层和电介质层对中的所述导电层电连接。

4.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述阶梯桥在所述第一方向上横向地延伸，并且包括的宽度小于所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构的宽度。

5.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述阶梯桥在垂直于所述第一方向的第二方向上横向地延伸，并且包括第一表面，所述第一表面比与所述第一表面相对的第二表面长。

6.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：

垂直地穿透所述膜堆叠层的多个存储串，所述多个存储串均包括：

核心填充膜；

包围所述核心填充膜的沟道层；以及

包围所述沟道层的存储膜。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述多个存储串分布在所述第一阶梯区域的相对侧上。

8.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构沿所述第一方向彼此对称。

9.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：

多个接触结构，所述多个接触结构与所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构的所述导电层电连接。

10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中，

所述多个接触结构的第一子组形成在所述第一阶梯结构的所述导电层上；并且

所述多个接触结构的第二子组形成在所述第二阶梯结构的所述导电层上，其中，所述多个接触结构的所述第二子组不同于所述多个接触结构的所述第一子组。

11.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一阶梯区域在所述3D存储器件的存储阵列的中心。

12.根据权利要求11所述的3D存储器件，还包括：

一个或多个底部选择栅(BSG)切口，所述一个或多个底部选择栅(BSG)切口将所述存储阵列划分成两个或更多个子块，每个子块包括子BSG。

13.根据权利要求12所述的3D存储器件，其中，所述一个或多个BSG切口在所述膜堆叠层的底部部分处垂直地穿透所述导电层和电介质层对中的一个或多个。

14.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：

第二阶梯区域，所述第二阶梯区域包括：

形成在所述膜堆叠层中的第三阶梯结构和第四阶梯结构，其中，所述第三阶梯结构和所述第四阶梯结构在所述第一方向上横向地延伸；以及

连接所述第三阶梯结构和所述第四阶梯结构的第二阶梯桥，其中，所述第一阶梯桥和所述第二阶梯桥分别位于所述第一阶梯区域和所述第二阶梯区域的相对侧上。