[发明专利]半导体器件及用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202080001864.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112020774B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;张中;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
绝缘层；
所述绝缘层之上的导电层；
间隔部结构，所述间隔部结构在所述导电层中并与所述绝缘层接触；
第一接触结构，所述第一接触结构在所述间隔部结构中，并垂直地延伸穿过所述绝缘层；以及
沟道结构，所述沟道结构的下部部分被所述导电层包围，
其中，所述第一接触结构包括彼此接触的第一接触部分和第二接触部分，以及
所述第二接触部分的上表面与所述导电层的上表面共面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层包括多晶硅。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第二接触部分的横向截面面积大于或等于所述第一接触部分的横向截面面积。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：
存储堆叠层，所述存储堆叠层包括在所述导电层之上并与所述接触结构分开的交错的导电层和电介质层；
以及
第二接触结构，所述第二接触结构在所述绝缘层中垂直地延伸并与所述导电层接触，
其中，所述沟道结构包括半导体沟道，所述半导体沟道的下部部分与所述导电层接触。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
所述沟道结构还包括与所述半导体沟道接触并包围所述半导体沟道的存储层；并且
所述存储层的下部部分被断开以暴露所述半导体沟道，使得所述半导体沟道与所述导电层接触。
6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述间隔部结构包括电介质材料。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构在所述绝缘层和所述导电层的相对侧上电连接外围电路和接触焊盘。
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构电连接到所述第二接触结构。
9.一种半导体器件，包括：
绝缘层；
所述绝缘层之上的导电层；
间隔部结构，所述间隔部结构在所述导电层中并与所述绝缘层接触；
第一接触结构，所述第一接触结构在所述间隔部结构中，并垂直地延伸穿过所述绝缘层；以及
沟道结构，所述沟道结构的下部部分被所述导电层包围，
其中，所述第一接触结构包括彼此接触的第一接触部分和第二接触部分，并且
所述第一接触部分的下表面在所述导电层的上表面与所述导电层的下表面之间的接触界面处与所述第二接触部分的上表面接触。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述接触界面与所述导电层的下表面共面。
11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中，所述导电层包括多晶硅。
12.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中，所述第二接触部分的横向截面面积大于或等于所述第一接触部分的横向截面面积。
13.根据权利要求9或10所述的半导体器件，还包括：
存储堆叠层，所述存储堆叠层包括在所述导电层之上并与所述接触结构分开的交错的导电层和电介质层；
以及
第二接触结构，所述第二接触结构在所述绝缘层中垂直地延伸并与所述导电层接触，
其中，所述沟道结构包括半导体沟道，所述半导体沟道的下部部分与所述导电层接触。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
所述沟道结构还包括与所述半导体沟道接触并包围所述半导体沟道的存储层；并且
所述存储层的下部部分被断开以暴露所述半导体沟道，使得所述半导体沟道与所述导电层接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080001864.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
