[发明专利]半导体器件及用于形成半导体器件的方法

说明书

公开了用于形成接触结构及其半导体器件的方法的实施例。在示例中，半导体器件包括绝缘层、绝缘层之上的导电层、以及在导电层中并与绝缘层接触的间隔部结构。半导体器件还包括在间隔部结构中并垂直地延伸穿过绝缘层的第一接触结构。第一接触结构包括彼此接触的第一接触部分和第二接触部分。第二接触部分的上表面与导电层的上表面共面。

背景技术

本公开的实施例涉及用于形成接触结构及其半导体器件的方法。

通过改善工艺技术、电路设计、编程算法、和制造工艺将平面存储单元缩放到较小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。

3D存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列和用于控制通往和来自存储阵列的信号的外围器件。

发明内容

本文公开了用于形成接触结构及其半导体器件的方法的实施例。

在一个示例中，半导体器件包括绝缘层、绝缘层之上的导电层、以及在导电层中并与绝缘层接触的间隔部结构。该半导体器件还包括在间隔部结构中并垂直地延伸穿过绝缘层的第一接触结构。第一接触结构包括彼此接触的第一接触部分和第二接触部分。第二接触部分的上表面与导电层的上表面共面。

在另一个示例中，半导体器件包括绝缘层、绝缘层之上的导电层、以及在导电层中并与绝缘层接触的间隔部结构。该半导体器件还包括在间隔部结构中并垂直地延伸穿过绝缘层的第一接触结构。第一接触结构包括彼此接触的第一接触部分和第二接触部分。接触结构还包括第一接触部分的下表面在导电层的上表面下方的接触界面处与第二接触部分的上表面接触。

在又一个示例中，用于形成半导体器件的方法包括：形成从基础结构的第一表面到基础结构中的间隔部结构；形成由间隔部结构包围的第一接触部分；以及形成与第一接触部分接触的第二接触部分。第二接触部分从基础结构的第二表面延伸到基础结构中。

附图说明

被并入到本文并形成说明书一部分的附图示出了本公开的实施例，并且附图与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使相关领域中的技术人员能够制作和使用本公开。

图1示出了半导体器件中的现有接触结构的截面图。

图2A示出了根据本公开的一些实施例的半导体器件中的示例性接触结构的截面图。

图2B示出了根据本公开的一些实施例的图2A中的接触结构的俯视图。

图3A示出了根据本公开的一些实施例的半导体器件中的另一个示例性接触结构的截面图。

图3B示出了根据本公开的一些实施例的图3A中的接触结构的俯视图。

图4A-图4D示出了根据本公开的一些实施例的用于形成接触结构的示例性制造工艺。

图5A-图5D示出了根据本公开的一些实施例的用于形成另一个接触结构的示例性制造工艺。

图6示出了根据本公开的各种实施例的示例性半导体器件的一部分。

图7示出了根据本公开的一些实施例的用于形成接触结构的示例性方法的流程图。

图8示出了根据本公开的一些实施例的用于形成另一个接触结构的示例性方法的流程图。

将参考附图描述本公开的实施例。

具体实施方式

虽然讨论了特定的构造和布置，但是应当理解，这样做仅出于说明性目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以使用其他构造和布置。对于相关领域中的技术人员将显而易见的是，本公开还可以用在多种其他应用中。