[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括：

基底，所述基底包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域；

所述周边区域设置有阵列基板行驱动电路、第一公共电极引线、第一电容以及至少一个第一静电放电单元；所述阵列基板行驱动电路包括多个阵列基板行驱动单元以及与至少一个阵列基板行驱动单元电连接的STV信号线；所述第一公共电极引线通过所述至少一个第一静电放电单元与所述STV信号线连接；

所述第一电容的第一电容电极与所述STV信号线连接，所述第一电容的第二电容电极与所述第一公共电极引线连接；

其中，所述第一静电放电单元包括：设置在基底上的基础电极层、覆盖所述基础电极层的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的搭接电极层、覆盖所述搭接电极层的第二绝缘层、以及设置在所述第二绝缘层上的连接电极层；

所述基础电极层包括：设置在基底上的第一基础电极、第二基础电极和第三基础电极；

所述搭接电极层包括：设置在所述第一绝缘层上的第一搭接电极、第二搭接电极、第三搭接电极和第四搭接电极；

所述连接电极层包括：设置在所述第二绝缘层上的第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极和第四连接电极；

所述第一连接电极与所述第一基础电极和第一搭接电极连接，所述第二连接电极与所述第二基础电极和第二搭接电极连接，所述第三连接电极与所述第二基础电极和第三搭接电极连接，所述第四连接电极与所述第三基础电极和第四搭接电极连接；

所述第一搭接电极和第二搭接电极之间设置有第一半导体区，所述第三搭接电极和第四搭接电极之间设置有第二半导体区；

所述第一连接电极与所述第一公共电极引线或STV信号线连接，相邻两个第一静电放电单元的第四连接电极通过静电放电连接线连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述周边区域还设置有第二公共电极引线，所述第二公共电极引线与所述STV信号线为同层结构，所述第一公共电极引线位于所述第二公共电极引线远离所述基底的一侧，所述第一公共电极引线与所述第二公共电极引线电连接。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述周边区域还设置有接地线和第二静电放电单元，所述第二公共电极引线通过所述第二静电放电单元与所述接地线连接。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一电容的第一电容电极与所述STV信号线为一体结构。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一电容的第二电容电极呈S型。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一公共电极引线与所述显示区域的像素电极为同层结构。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示基板，其中，所述STV信号线包括：第一部分、第二部分以及连接在所述第一部分和第二部分之间的转接单元；

所述转接单元包括：第一转接电极、第二转接电极和第三转接电极；所述第二转接电极连接所述第一转接电极和第一部分，所述第三转接电极连接所述第一转接电极和第二部分；

所述第一部分和第二部分为同层结构，所述第二转接电极和第三转接电极为同层结构，所述第一转接电极位于所述第一部分和第二部分远离所述基底的一侧，且所述第二转接电极和第三转接电极位于所述第一转接电极远离所述基底的一侧。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第二转接电极和第三转接电极与所述显示区域的像素电极为同层结构。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述STV信号线的第一部分与所述第一电容的第一电容电极连接，所述STV信号线的第二部分与所述至少一个阵列基板行驱动单元连接；或者，所述STV信号线的第二部分与所述第一电容的第一电容电极以及所述至少一个阵列基板行驱动单元连接。

10.一种显示装置，包括如权利要求1至9中任一项所述的显示基板。

11.一种显示基板的制备方法，包括：

在基底的周边区域形成阵列基板行驱动电路、第一公共电极引线、第一电容以及至少一个第一静电放电单元；所述阵列基板行驱动电路包括多个阵列基板行驱动单元以及与至少一个阵列基板行驱动单元电连接的STV信号线；所述第一公共电极引线通过至少一个第一静电放电单元与所述STV信号线连接；

所述第一电容的第一电容电极与所述STV信号线连接，所述第一电容的第二电容电极与所述第一公共电极引线连接；

其中，所述在基底的周边区域形成阵列基板行驱动电路、第一公共电极引线、第一电容以及至少一个静电放电单元，包括：

在基底的周边区域形成第一导电层，所述第一导电层至少包括：STV信号线、第一电容的第一电容电极、阵列基板行驱动电路的晶体管的栅电极、以及第一静电放电单元的基础电极层；所述基础电极层至少包括第一基础电极、第二基础电极和第三基础电极；

在所述第一导电层远离所述基底的一侧依次形成第一绝缘层、半导体层和第二导电层，所述半导体层至少包括：阵列基板行驱动电路的晶体管的有源层、第一静电放电单元的第一半导体区和第二半导体区，所述第二导电层至少包括：阵列基板行驱动电路的晶体管的源漏电极、第一静电放电单元的搭接电极层；所述搭接电极层至少包括：第一搭接电极、第二搭接电极、第三搭接电极和第四搭接电极；

在所述第二导电层远离所述基底的一侧依次形成第二绝缘层和第三导电层，所述第三导电层至少包括：第一公共电极引线、第一电容的第二电容电极、第一静电放电单元的连接电极层，所述连接电极层至少包括：第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极和第四连接电极；

所述第一连接电极与所述第一基础电极和第一搭接电极连接，所述第二连接电极与所述第二基础电极和第二搭接电极连接，所述第三连接电极与所述第二基础电极和第三搭接电极连接，所述第四连接电极与所述第三基础电极和第四搭接电极连接；所述第一搭接电极和第二搭接电极之间设置有第一半导体区，所述第三搭接电极和第四搭接电极之间设置有第二半导体区。