[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202080002502.1 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN114930444B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 王婷婷;闫岩;王祺;田丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板,包括:基底,基底包括显示区域(100)和位于显示区域(100)外围的周边区域(102)。周边区域(102)设置有GOA电路、第一公共电极引线(22)、第一电容以及至少一个第一ESD单元。GOA电路包括多个GOA单元以及与至少一个GOA单元电连接的STV信号线(21)。第一公共电极引线(22)通过至少一个第一ESD单元与STV信号线(21)连接。第一电容的第一电容电极(261)与STV信号线(21)连接,第一电容的第二电容电极(262)与第一公共电极引线(22)连接。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
阵列基板行驱动(GOA,Gate Driver on Array)技术是将栅极驱动器(GateDriver)集成在阵列基板上,形成对面板的扫描驱动,从而提高显示面板的集成度,减少栅极驱动集成电路(IC,Integrated Circuit)的使用率,由此得到广泛运用。然而,由于GOA电路中金属密度较大,容易积累大量电荷,发生静电放电(ESD,Electro-Static discharge)不良,容易导致GOA单元被静电击穿,造成GOA单元短路,使GOA电路无法正常工作,从而降低GOA电路的良品率。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
一方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域。所述周边区域设置有阵列基板行驱动(GOA,GateDriver on Array)电路、第一公共电极引线、第一电容以及至少一个第一静电放电(ESD,Electro-Static discharge)单元;所述GOA电路包括多个GOA单元以及与至少一个GOA单元电连接的STV信号线;所述第一公共电极引线通过所述至少一个第一ESD单元与所述STV信号线连接。所述第一电容的第一电容电极与所述STV信号线连接,所述第一电容的第二电容电极与所述第一公共电极引线连接。
在一些示例性实施方式中,所述周边区域还设置有第二公共电极引线,所述第二公共电极引线与所述STV信号线为同层结构,所述第一公共电极引线位于所述第二公共电极引线远离所述基底的一侧,所述第一公共电极引线与所述第二公共电极引线电连接。
在一些示例性实施方式中,所述周边区域还设置有接地线和第二ESD单元,所述第二公共电极引线通过所述第二ESD单元与所述接地线连接。
在一些示例性实施方式中,所述第一电容的第一电容电极与所述STV信号线为一体结构。
在一些示例性实施方式中,所述第一电容的第二电容电极呈S型。
在一些示例性实施方式中,所述第一公共电极引线与所述显示区域的像素电极为同层结构。
在一些示例性实施方式中,所述STV信号线包括:第一部分、第二部分以及连接在所述第一部分和第二部分之间的转接单元。所述转接单元包括:第一转接电极、第二转接电极和第三转接电极;所述第二转接电极连接所述第一转接电极和第一部分,所述第三转接电极连接所述第一转接电极和第二部分。所述第一部分和第二部分为同层结构,所述第二转接电极和第三转接电极为同层结构,所述第一转接电极位于所述第一部分和第二部分远离所述基底的一侧,且所述第二转接电极和第三转接电极位于所述第一转接电极远离所述基底的一侧。
在一些示例性实施方式中,所述第二转接电极和第三转接电极与所述显示区域的像素电极为同层结构。
在一些示例性实施方式中,所述STV信号线的第一部分与所述第一电容的第一电容电极连接,所述STV信号线的第二部分与所述至少一个GOA单元连接;或者,所述STV信号线的第二部分与所述第一电容的第一电容电极以及所述至少一个GOA单元连接。
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