[发明专利]半导体装置和其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

III-V族材料层；

位于所述III-V族材料层上的第一栅极和第二栅极；以及

位于所述第一栅极上的第一钝化层；

其中所述第一栅极中的元素的第一激活率不同于所述第二栅极中的所述元素的第二激活率。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层直接接触所述第一栅极。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一钝化层完全覆盖所述第一栅极。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一栅极包括：

位于所述III-V族材料层上的第一部分；以及

位于所述第一部分上的第二部分，其中所述第一钝化层直接接触所述第一栅极的所述第一部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

位于所述第二栅极上的第二钝化层，其中所述第一钝化层的材料不同于所述第二钝化层的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二钝化层直接接触所述第二栅极。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二钝化层直接接触所述第一栅极。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二钝化层直接接触所述第一钝化层。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一钝化层安置在所述第一栅极与所述第二钝化层之间。

11.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二栅极包括：

位于所述III-V族材料层上的第一部分；以及

位于所述第一部分上的第二部分，其中所述第二钝化层直接接触所述第二栅极的所述第一部分。

12.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层独立地包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝或其组合。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述元素为镁。

14.一种半导体装置，其包括：

III-V族材料层；

位于所述III-V族材料层上的第一掺杂III-V族层和第二掺杂III-V族层；

位于所述第一掺杂III-V族层上的第一介电层；以及

位于所述第二掺杂III-V族层上的第二介电层，其中所述第一介电层的材料不同于所述第二介电层的材料。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一介电层直接接触所述第一掺杂III-V族层。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第二介电层直接接触所述第二掺杂III-V族层。

17.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第二介电层直接接触所述第一掺杂III-V族层。

18.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一介电层的厚度比所述第二介电层的厚度小。

19.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一介电层的厚度等于或大于约

20.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一介电层的厚度为约到约