[发明专利]用于四个堆叠层三维交叉点存储器的阵列和接触架构有效
申请号: | 202080002803.4 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN112385040B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 于景辉;李文彪 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 四个 堆叠 三维 交叉点 存储器 阵列 接触 架构 | ||
1.一种用于三维存储单元的架构,包括:
多个平面且相互平行的位片区层,所述位片区层中的每个包括在位线方向上延伸的位线;
解码器,所述位片区层通过触点电连接到所述解码器;其中:
每个位片区层具有每解码器的片区比,所述每解码器的片区比被定义为所述位片区层中的位片区的总数与电连接到所述位片区层中的位片区的解码器的总数的比;并且
至少一个位片区层具有大于1:1的每解码器的片区比,
其中,所述多个位片区层包括:
第一层;
中间层,所述中间层比所述第一层更靠近所述解码器,并且具有大于所述第一层的每解码器的片区比;以及
外层,所述外层比所述中间层更靠近所述解码器,并且具有大于所述中间层的每解码器的片区比。
2.根据权利要求1所述的架构,其中,至少一个位片区层具有2:1的每解码器的片区比。
3.根据权利要求2所述的架构,其中,具有2:1的每解码器的片区比的所述至少一个位片区层包括与同一层中的另一个位片区电连接到同一解码器的位片区。
4.根据权利要求1所述的架构,其中,至少一个位片区层具有4:1的每解码器的片区比。
5.根据权利要求1所述的架构,其中,具有4:1的每解码器的片区比的所述至少一个位片区层包括与同一层中的另外三个位片区电连接到同一解码器的位片区。
6.根据权利要求1所述的架构,其中,所述多个位片区层还包括第二层,所述第二层比所述中间层和所述外层更远离所述解码器,并且具有与所述第一层相同的每解码器的片区比。
7.根据权利要求1所述的架构,其中,在所述位线方向上所述中间层中的所述位片区比所述第一层中的所述位 片区短,并且在所述位线方向上所述外层中的所述位片区比所述中间层中的所述位 片区短。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的