[发明专利]用于使用层压间隙填充来减少3D交叉点存储器阵列中的热串扰的方法

权利要求书

1.一种三维交叉点存储器，包括：

第一存储单元；

第二存储单元；

电极，所述电极电连接所述第一存储单元和所述第二存储单元；

所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的单元内空间；以及

第一层和第二层，所述第一层三维地、至少部分地包封所述第一存储单元、所述第二存储单元和所述电极，并且所述第二层至少部分地并且三维地包围所述第一层，

多个额外层，所述多个额外层至少部分地并且三维地包围所述第二层，其中，所述多个额外层占据整个所述单元内空间，

其中，所述第一层、所述第二层和所述多个额外层是使用原子沉积方法来沉积的，

其中，所述第一层、所述第二层和所述多个额外层创建多个材料内界面，并且

其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元被配置为在至少一个表面上被暴露。

2.根据权利要求1所述的三维交叉点存储器，其中，所述第一层、所述第二层和所述多个额外层是由介电材料构成的。

3.根据权利要求2所述的三维交叉点存储器，其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元是从NiTi、a_C、PCM、OTS或W中选择制成的。

4.根据权利要求1所述的三维交叉点存储器，其中，所述第一层和所述第二层是由不同材料构成的。

5.一种三维交叉点存储器，包括：

存储单元的顶部单元阵列；

存储单元的底部单元阵列；

至少一个电极，所述至少一个电极电连接存储单元的所述顶部阵列或存储单元的所述底部阵列中的至少一个；以及

在所述存储单元之间的存储器内空间，其中存储器内空间填充有多个层，所述多个层三维地、至少部分地包封所述存储单元和所述至少一个电极，并且所述多个层创建多个材料内界面，

其中，所述存储器内空间被所述多个层完全填充，

其中，所述多个层包括第一层、第二层和多个额外层，所述第二层至少部分地并且三维地包围所述第一层，并且所述多个额外层至少部分地并且三维地包围所述第二层，并且

其中，所述第一层、所述第二层和所述多个额外层是使用原子沉积方法来沉积的。

6.一种形成三维交叉点存储器的方法，包括：

提供第一存储单元；

提供第二存储单元；

提供电极，所述电极电连接所述第一存储单元和所述第二存储单元；

创建第一层和第二层，所述第一层三维地包封所述第一存储单元、所述第二存储单元和所述电极，并且所述第二层至少部分地并且三维地包围所述第一层；

创建多个额外层，所述多个额外层至少部分地并且三维地包围所述第二层，其中，所述多个额外层占据整个所述单元内空间；以及

使所述第一存储单元和所述第二存储单元在至少一个表面上暴露，

其中，所述第一层、所述第二层和所述多个额外层是使用原子沉积方法来沉积的，并且

其中，所述第一层、所述第二层和所述多个额外层创建多个材料内界面。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括以下步骤：

移除所述单元内空间之间超出所述第一存储单元或所述第二存储单元的顶部的材料。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

基本上在通过移除超出所述第一存储单元或所述第二存储单元的顶部的材料而暴露的表面之上添加电极。