[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.发光二极管，包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极电连接至所述第一导电型半导体层，所述第二电极电连接至所述第二导电型半导体层，其特征在于：所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁覆盖有具有载流子俘获效应的绝缘层，所述绝缘层之上设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体发光叠层的侧壁及露出的第一表面、第一电极和第二电极的侧壁。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的材料选自Si_x1N、Si_{x2ON、Six1N：P或者Six2ON：P，其中Six1N的Si组份的摩尔比X1为0.8~2，所述Six2ON的Si组份的摩尔质量比X2 为0.5~1.0。}

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的厚度为5~100nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光叠层的第一表面包括电极区和发光区，所述绝缘层覆盖所述半导体发光叠层的发光区，其材料为Si_x1N，其中Si_x1N的Si组份的摩尔比X1为0.8~2。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层还覆盖第一电极和第二电极的侧壁。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光叠层的第一表面包括电极区和发光区，所述绝缘层还覆盖所述半导体发光叠层的发光区。

7.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述钝化层的厚度为200~1500nm。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述钝化层的厚度为100nm~1500nm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层和钝化层交替堆叠，对数为2~5。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述钝化层的厚度为50~500nm。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：该交替堆叠的绝缘层和钝化层的最外层为钝化层。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述钝化层的材料为SiO₂或者Al₂O₃。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层为Si_a1N，所述钝化层为Si_a2N，其中0.8a1≤2，0.6≤a2≤0.8。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的至少一个边长介于200~300μm或100~200μm或40~100μm。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述有源层的水平截面积为30000~40000μm²，其发射的光线由所述第一表面射出，所述第一电极和第二电极之间的间距为60~80μm。