[发明专利]用于3D FeRAM的架构、结构、方法和存储阵列

权利要求书

1.一种用于实施3D FeRAM存储阵列的交叉点架构，包括：

单个电容器FeRAM单元的顶部单元堆栈，所述顶部单元堆栈在单个电容器FeRAM单元的底部单元堆栈的顶部上；

垂直晶体管选择器件；

其中，所述垂直晶体管选择器件实现交叉点阵列和每堆栈4F2的有效单元尺寸；

其中，所述多个FeRAM单元是容器电容器，所述容器电容器实现所述4F2的有效单元尺寸；并且

其中，所述顶部单元堆栈和所述底部单元堆栈共享公共基板或公共位线。

2.根据权利要求1所述的交叉点架构，其中，所述单个电容器FeRAM单元是1T1C FeRAM单元。

3.一种三维存储阵列，包括：

存储单元的顶部单元阵列；

存储单元的底部单元阵列；

所述顶部单元阵列和所述底部单元阵列之间的公共基板或公共位线；

多条字线，所述多条字线耦合到所述顶部单元阵列且耦合到所述底部单元阵列；

两组位线，所述两组位线包括耦合到所述顶部单元阵列的一组顶部单元位线和耦合到所述底部单元阵列的一组底部单元位线；

所述多条字线和所述组位线形成交叉点阵列；以及

所述顶部单元阵列和所述底部单元阵列中的多个FeRAM单元。

4.根据权利要求3所述的三维存储阵列，其中，所述顶部单元阵列的所述多条字线平行于所述底部单元阵列的所述多条字线。

5.根据权利要求4所述的三维存储阵列，其中，所述组位线垂直于所述多条字线。

6.根据权利要求3所述的三维存储阵列，还包括多个垂直选择晶体管，其中，所述多个垂直选择晶体管和所述组位线访问所述多个FeRAM单元。

7.根据权利要求3所述的三维存储阵列，还包括：

垂直铁电存储单元容器；以及

垂直选择晶体管，

其中，所述垂直铁电存储单元容器设置在所述垂直选择晶体管上方。

8.根据权利要求7所述的三维存储阵列，其中，所述垂直铁电存储单元容器是容器电容器。

9.一种制造三维存储阵列的方法，包括：

形成用于底部堆栈的第一组平行的位线；

形成垂直晶体管的阵列；

在垂直晶体管上插入FeRAM存储单元；

在所述FeRAM单元上形成公共基板；以及

通过形成用于顶部堆栈的第二组平行的位线和形成垂直晶体管的阵列来形成存储单元的顶部堆栈。