[发明专利]化学镀铜浴

说明书

化学镀铜浴为含有肼化合物作为还原剂、不含甲醛、pH值为5～10的化学镀铜浴，该化学镀铜浴至少含有胺类络合剂或胺化合物、与氨基羧酸类络合剂。

技术领域

本发明涉及一种不含甲醛、能在中性条件下使用的化学镀铜浴。

背景技术

现有技术中的化学镀铜浴使用甲醛作为铜离子的还原剂，但甲醛的蒸气压高，其刺激性恶臭会造成作业环境的恶化，且对人体具有致癌性负面影响，这些问题都已经被指出。而且，由于使用甲醛的化学镀铜浴为强碱性，因此容易导致待镀件劣化，其用途受限。

于是，不使用甲醛作为还原剂而使用其他物质作为还原剂的化学镀铜浴已有人提出。更具体而言，例如使用次磷酸盐作为还原剂的化学镀铜浴已有人提出。由于该次磷酸盐对铜不具有催化作用，因此要将该次磷酸盐添加到含有例如镍或钴等中间金属离子的金属盐的镀浴中(例如，参照非专利文献1)。

非专利文献：[表面技术]Vol.48，No.4，1997年

发明内容

－发明要解决的技术问题－

这里，由于次磷酸盐对铜不具有催化活性，因此在上述现有技术中的使用次磷酸盐的化学镀铜浴中通常都会添加对次磷酸盐显示催化活性的金属镍。然而，镍为导电性比铜差的金属，会与来自该镀浴的铜析出物发生共析出。结果，在大多数的电子电路用途中都会发生导电性不足的问题。

已知一般的形成镀层的方法如下：让作为用以形成镀层的催化剂使用的钯等金属催化剂粒子与基底金属进行置换，以该催化剂作为镀覆反应的起点，利用化学镀来形成镀层。但是，如果让钯等金属催化粒子与基底金属进行置换，钯等金属粒子就会存在于基底铜与化学镀铜层的界面处，因此，特别是在细微的布线电路中电阻率会增大。结果会出现导电性不足的问题。

本发明正是为解决上述问题而完成的。其目的在于：提供一种化学镀铜浴，该化学镀铜浴不含甲醛，在难以引起待镀件劣化的中性条件下不添加催化剂即能够往铜上析出。

－用于解决技术问题的技术方案－

为了达成上述目的，本发明所涉及的化学镀铜浴的特征在于：含有肼化合物作为还原剂、不含甲醛、pH值为5～10，该化学镀铜浴至少含有胺类络合剂或胺化合物、与氨基羧酸类络合剂。

－发明的效果－

根据本发明，能够提供一种化学镀铜浴，该化学镀铜浴不含甲醛，在中性条件下析出性与镀浴稳定性优异，不添加催化剂即能够往铜上析出。

具体实施方式

下面，对本发明的化学镀铜浴进行说明。

＜化学镀铜浴＞

本发明的化学镀铜浴为含有肼化合物作为还原剂、胺类络合剂以及氨基羧酸类络合剂的镀浴。用不使用钠与钾等的碱金属盐的镀浴组成也能够建立起本发明的化学镀铜浴。因此，本发明的化学镀铜浴非常适合用在半导体晶片的制造上。

(还原剂)

本发明的化学镀铜浴使用肼化合物作为还原剂，代替上述现有技术中的甲醛。能够列举出的该肼化合物例如有：一水合肼、氯化肼(hydrazinium chloride)、硫酸肼、二甲基肼、乙酰肼以及碳酸肼等。

还原剂在镀浴中的浓度优选为0.1～1.0M，更优选为0.2～0.5M。

(pH值)

如上所述，本发明的化学镀铜浴使用肼化合物作为还原剂，该肼化合物能够在从弱酸性到碱性的条件下使用。因此，本发明的镀浴的pH值为5以上，优选为5～10，更优选为6～8。通过让pH值在5以上，在不损坏作为待镀件的基材的情况下，就能够进行镀覆处理。