[发明专利]电子装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202080003249.1 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112689895A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张安邦 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/778;H01L27/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置，其包括：
衬底，其具有第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域；
晶体管，其安置在所述衬底的所述第一区域上，所述晶体管包括：
第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；以及
第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；以及
第一掺杂阱，其位于所述第二区域中。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述衬底掺杂有与所述第一掺杂阱的杂质不同的杂质。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述衬底与所述第一掺杂阱之间形成第一PN结。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一掺杂阱通过穿过所述第二氮化物半导体层的互连件电连接到所述晶体管的电极。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括所述第一掺杂阱内的第二掺杂阱。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述第一掺杂阱具有与所述第二掺杂阱的杂质不同的杂质。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述第一掺杂阱与所述第二掺杂阱之间形成第二PN结。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中在所述衬底的所述第二区域上的所述第一氮化物半导体层掺杂有杂质。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中在所述衬底的所述第二区域上的所述第二氮化物半导体层掺杂有杂质。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一掺杂阱包括具有介于大约1013到大约1018cm-3范围内的浓度的第一掺杂剂。
11.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述第二掺杂阱包括具有介于大约1013到大约1018cm-3范围内的浓度的第二掺杂剂。
12.一种电子装置，其包括：
半导体衬底；
半导体异质结构层，其具有注入区域；以及
第一掺杂阱，其安置在所述半导体异质结构层的所述注入区域下方的所述半导体衬底中，
其中所述半导体衬底和所述第一掺杂阱具有不同类型的半导体。
13.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述注入区域具有介于大约1×1012cm-2到大约1×1016cm-2范围内的掺杂浓度。
14.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述半导体衬底与所述第一掺杂阱之间形成第一PN结。
15.根据权利要求12所述的电子装置，其进一步包括从所述第一掺杂阱延伸穿过所述半导体异质结构层的第一互连件。
16.根据权利要求12所述的电子装置，其进一步包括安置于所述第一掺杂阱内的第二掺杂阱。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱具有不同掺杂剂。
18.根据权利要求16所述的电子装置，其进一步包括从所述第二掺杂阱延伸穿过所述半导体异质结构层的第二互连件。
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