[发明专利]电子装置和其制造方法

说明书

本公开的一些实施例提供一种电子装置和其制造方法。所述电子装置包括：衬底、晶体管和掺杂阱。所述衬底，其具有第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域。所述晶体管安置在所述衬底的所述第一区域上。所述晶体管包括：第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；以及第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。述掺杂阱位于所述第二区域中。

技术领域

本公开涉及电子装置，且特定来说，涉及具有ESD保护电路的III-V族电子装置。

背景技术

包含异质结构半导体的组件，举例来说，包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V化合物)的半导体组件可由于其特性而在各种条件下或在各种环境中(例如，在不同电压和频率下)操作或工作。

发明内容

半导体组件，例如高电子迁移率晶体管(HEMT)，已广泛用于不同电子装置中，例如电源开关和放大器。亟需用于半导体组件的合适的电子放电(ESD)保护装置。

在一些实施例中，一种电子装置包含衬底、晶体管和掺杂阱。所述衬底包含第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域。所述晶体管安置在所述衬底的所述第一区域上。所述晶体管包含安置在所述衬底上的第一氮化物半导体层以及安置在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述掺杂阱安置在所述第二区域中。

在一些实施例中，一种电子装置包含半导体衬底、半导体异质结构层和掺杂阱。所述半导体异质结构层包含注入(implanted)区域。所述掺杂阱安置在所述半导体异质结构层的所述注入区域下方的所述半导体衬底中。所述半导体衬底和所述掺杂阱具有不同类型的半导体。

在一些实施例中，一种用于制造电子装置的方法，其包含：在衬底上形成第III族氮化物半导体异质结构层；将第一掺杂剂注入所述衬底的第一区域中以形成第一掺杂阱；将第二掺杂剂注入所述第一区域上方的所述第III族氮化物半导体异质结构层中；形成穿过所述第III族氮化物半导体异质结构层直至所述第一掺杂阱的通孔；以及至少部分地填充所述通孔以形成用于电连接所述第一掺杂阱的互连件。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且出于论述的清楚起见，各种结构的尺寸可任意增大或减小。

图1A为根据本公开的一些实施例的电子装置的俯视图。

图1B为图1A的电子装置沿线A-A'的横截面图。

图1C为图1A的电子装置沿线B-B'的横截面图。

图2为根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图3为根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图4A为根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图4B为根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图5说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图6A说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图6B说明沿图6A中的线A-A'的图6A的横截面图。

图6C说明沿图6A中的线A-A'的图6A的横截面图。

图7说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图8A说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图8B说明沿线I-I'的图8A的横截面图。