[发明专利]处理半导体晶圆的方法

权利要求书

1.一种用于处理晶圆的方法，包括：

基于一个或多个晶圆特性来确定晶圆的晶圆修改轮廓；

使用所述晶圆修改轮廓来从所述晶圆的第一表面修改所述晶圆的一部分，其中，经修改部分具有小于所述晶圆的厚度的穿透深度；以及

在所述晶圆的第二表面上执行晶圆减薄工艺，所述第二表面在所述晶圆的所述第一表面的相对侧上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述一个或多个晶圆特性的测量包括：确定所述晶圆的周边区域中的边缘缺陷的一个或多个性质。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述边缘缺陷的所述一个或多个性质的所述确定包括：测量所述边缘缺陷的缺陷深度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，对所述晶圆修改轮廓的所述确定包括：将所述穿透深度设置为等于或大于所述缺陷深度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述晶圆的所述一部分的所述修改包括：形成与所述晶圆基本上同心的环形沟槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述环形沟槽的所述形成包括：执行部分地穿透所述晶圆的厚度的切割工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述晶圆的所述一部分的所述修改包括：在所述晶圆上执行隐形激光切割工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述晶圆减薄工艺的所述执行包括：在所述晶圆的所述第二表面上执行背面研磨工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，对所述背面研磨工艺的所述执行包括：

将背面研磨杯形砂轮压靠在所述晶圆的所述第二表面上；

旋转所述背面研磨杯形砂轮以从所述晶圆去除材料，使得所述背面研磨杯形砂轮在与晶圆边缘缺陷接触之前与所述经修改部分接触；以及

在所述经修改部分处，将器件区域与所述晶圆的包括所述晶圆边缘缺陷的周边部分机械地分离。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述晶圆的所述一部分的所述修改包括：在器件区域和形成在所述晶圆的圆周处的边缘缺陷之间形成晶圆修改区域。

11.一种用于处理晶圆的方法，包括：

检测在所述晶圆的圆周处的晶圆边缘缺陷，所述晶圆包括正面和背面以及在所述正面上的半导体管芯阵列；

测量所述晶圆边缘缺陷的一个或多个特性，其中，所述一个或多个特性至少包括缺陷深度；

从所述正面修改所述晶圆在所述半导体管芯阵列和所述晶圆边缘缺陷之间的一部分，其中，经修改部分包括从所述正面测量的小于所述缺陷深度的穿透深度；以及

在所述晶圆的所述背面上执行晶圆减薄工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，对所述晶圆的所述一部分的所述修改包括：形成与所述晶圆基本上同心且部分地穿透所述晶圆的环形沟槽。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述修改包括：使用隐形激光切割形成环形修改层，其中，所述环形修改层与所述晶圆基本上同心。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，对所述晶圆减薄工艺的所述执行包括：在所述晶圆的所述背面上执行背面研磨工艺。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，对所述背面研磨工艺的所述执行包括：

将背面研磨杯形砂轮压靠在所述晶圆的所述背面上；

旋转所述背面研磨杯形砂轮以从所述晶圆去除材料，使得所述背面研磨杯形砂轮在与所述晶圆边缘缺陷接触之前与所述经修改部分接触；以及

在所述经修改部分处，将所述半导体管芯阵列与所述晶圆的包括所述晶圆边缘缺陷的周边部分机械地隔离。