[发明专利]处理半导体晶圆的方法

说明书

本公开内容描述了用于处理半导体晶圆的方法和系统。一种用于处理晶圆的方法包括使用多个检测器来测量晶圆的一个或多个晶圆特性。该晶圆包括器件区域和周边区域。该方法还包括基于所测量的一个或多个晶圆特性来确定晶圆的晶圆修改轮廓。该方法还包括使用晶圆修改轮廓来修改周边区域内的晶圆的环形部分。经修改的环形部分具有小于晶圆厚度的穿透深度。该方法还包括对晶圆执行晶圆减薄工艺。

技术领域

本公开内容总体上涉及半导体技术领域，并且更具体而言，涉及用于提高半导体晶圆处理的成品率的系统和方法。

背景技术

在集成电路(IC)制造设备中的半导体晶圆制造处理期间，半导体晶圆经历若干处理操作。为了增加器件密度，可以将半导体晶圆键合在一起，并且通常对键合的半导体晶圆上执行晶圆减薄工艺以减小晶圆厚度。目前的晶圆处理技术具有多种需要解决的缺点，诸如由于晶圆减薄导致的晶圆损坏。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下具体实施方式可以最好地理解本公开内容的各方面。注意，根据行业中的惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地图示和讨论，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1A和1B是根据本公开内容的一些实施例的半导体晶圆的视图。

图2A-2D是根据本公开内容的一些实施例的半导体晶圆的边缘部分的截面图。

图3是根据本公开内容的一些实施例的晶圆减薄装置中的晶圆的截面图。

图4A和4B是根据本公开内容的一些实施例的结合晶圆修改的半导体晶圆的视图。

图5和6是根据本公开内容的一些实施例的在晶圆减薄工艺期间结合晶圆修改的半导体晶圆的截面图。

图7和8示出了根据本公开内容的一些实施例的用于在半导体晶圆中形成晶圆修改的示例性装置。

图9示出了根据本公开内容的一些实施例的用于在半导体晶圆中形成晶圆修改的示例性制造过程。

具体实施方式

尽管讨论了具体的配置和布置，但应该理解，这仅仅是为了说明的目的而进行的。相关领域的技术人员将认识到，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，可以使用其他配置和布置。对于相关领域的技术人员显而易见的是，本公开内容还可以用于各种其他应用中。

应注意到，在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“一些实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括该特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确描述，结合其他实施例来实现这样的特征、结构或特性都在相关领域的技术人员的知识范围内。

通常，可以至少部分地从上下文中的用法理解术语。例如，如本文所用的术语“一个或多个”至少部分取决于上下文，可以用于以单数意义描述任何特征、结构或特性，或可以用于以复数意义描述特征、结构或特征的组合。类似地，至少部分取决于上下文，诸如“一(a、an)”或“该”的术语同样可以被理解为表达单数用法或表达复数用法。

应当容易理解的是，本公开内容中的“在……上”、“在……之上”和“在……上方”的含义应以最宽泛的方式来解释，使得“在……上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还包括其间具有中间特征或层的“在某物上”的含义，“在……之上”或“在……上方”不仅意味着“在某物之上”或“在某物上方”的含义，而且还可以包括其间没有中间特征或层的“在某物之上”或“在某物上方”的含义(即，直接在某物上)。