[发明专利]提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺

权利要求书

1.一种用于处理工件的方法，所述方法包括：

将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；

对所述处理腔室中的所述工件执行预氧化处理工艺以在所述工件上引发氧化物层形成；

对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在所述工件上进行所述氧化物层形成；

在执行所述预氧化处理工艺和所述远程等离子体氧化工艺之后，将所述工件从所述处理腔室移除；

其中，所述远程等离子体氧化工艺包括：

在等离子体腔室中由远程等离子体氧化工艺气体生成第一等离子体；

过滤在所述第一等离子体中生成的物质以生成具有一种或多种自由基的混合物；以及

将所述自由基暴露于所述工件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预氧化处理工艺在所述工件上形成第一氧化物层，并且所述远程等离子体氧化工艺在所述第一氧化物层上形成第二氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述远程等离子体氧化工艺气体包括：包括H₂和O₂的混合物或包括H₂O和O₂的混合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预氧化处理工艺包括：

通过在所述等离子体腔室中的预处理气体中感应第二等离子体来生成一种或多种物质；

过滤所述一种或多种物质以生成过滤的混合物；以及

将所述过滤的混合物暴露于所述工件以引发在所述工件上的氧化物层形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述预处理气体包括O₂或O₃。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述预处理气体包括O₂和O₃。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预氧化处理工艺包括：将所述工件暴露于所述处理腔室中的预处理气体，所述预处理气体包括O₃。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述预处理气体包括O₂和O₃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体腔室通过分离栅与所述处理腔室分离。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，使用感应耦合的等离子体源生成所述第一等离子体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述远程等离子体氧化工艺期间，所述工件处于低于约400℃的温度。

12.一种用于处理工件的方法，所述方法包括：

将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；

将所述工件暴露于所述处理腔室中的预处理气体，所述预处理气体包括O₃；

在将所述工件暴露于所述预处理气体之后，对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，所述远程等离子体氧化工艺将所述工件暴露于至少部分地通过在远程等离子体腔室中生成等离子体而产生的O自由基或OH自由基；以及

在所述远程等离子体氧化工艺之后，将所述工件从所述处理腔室移除。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述预处理气体包括O₂和O₃。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述远程等离子体腔室通过分离栅与所述处理腔室分离，所述分离栅被配置为过滤在所述远程等离子体腔室中生成的离子。