[发明专利]提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺

说明书

提供用于氧化工件的工艺。在一个示例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法包括对处理腔室中的工件执行预氧化处理工艺以在所述工件上引发氧化物层形成。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在所述工件上进行氧化物层形成。在执行预氧化处理工艺和远程等离子体氧化工艺之后，所述方法可包括将所述工件从所述处理腔室移除。在一些实施例中，所述远程等离子体氧化工艺可包括：在等离子体腔室中由远程等离子体氧化工艺气体生成第一等离子体；过滤在所述等离子体中生成的物质以生成具有一种或多种自由基的混合物；以及将所述一种或多种自由基暴露于所述工件。

优先权声明

本申请要求于2019年5月21日提交的名称为“提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺”的、号为62/850,750的美国临时申请的优先权的权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及工件的表面处理，且更特别地涉及提高通过远程等离子体氧化工艺产生的氧化膜的质量的工件的表面处理。

背景技术

等离子体处理广泛用于半导体工业中，用于半导体晶片和其他基材的沉积、蚀刻、抗蚀剂移除、表面处理和相关处理。等离子体源(例如微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理以产生高密度等离子体和用于处理基材的反应性物质。

发明内容

本公开的实施例的方面和优点将部分地在以下描述中阐述，或者可以从描述中学习，或者可以通过实施例的实践来学习。

本公开的一个示例方面涉及一种用于处理工件的方法。该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行预氧化处理工艺，以在所述工件上引发氧化物层形成。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在所述工件上进行氧化物层形成。在执行所述预氧化处理工艺和所述远程等离子体氧化工艺之后，所述方法可包括将所述工件从所述处理腔室移除。在一些实施例中，所述远程等离子体氧化工艺可包括：在等离子体腔室中由远程等离子体氧化工艺气体生成第一等离子体；过滤在所述等离子体中生成的物质以生成具有一种或多种自由基的混合物；以及将所述一种或多种自由基暴露于所述工件。

本公开的其他示例方面涉及用于在工件上选择性沉积材料的系统、方法和装置。

参考以下描述和所附权利要求书，将更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优点。附图被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

在参考附图的说明书中阐述了针对本领域技术人员的实施例的详细讨论，在附图中：

图1描绘了根据本公开的示例实施例的示例氧化工艺；

图2描绘了根据本公开的示例实施例的示例等离子体处理装置；

图3描绘了根据本公开的示例实施例的示例方法的流程图；

图4描绘了根据本公开的示例实施例的将工件示例暴露于预处理气体；

图5描绘了根据本公开的示例实施例的将工件示例暴露于预处理气体；

图6描绘了在根据本公开的示例实施例的分离栅处的预处理气体的示例注入；

图7描绘了根据本公开的示例实施例的示例预氧化处理工艺的流程图；

图8描绘了根据本公开的示例实施例的示例远程等离子体氧化工艺的流程图；

图9描绘了根据本公开的示例实施例的示例等离子体处理装置；

图10描绘了根据本公开的示例实施例的示例性等离子体处理装置；以及