[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理装置，具备：

处理室，配置在真空容器内部；

样品台，配置在该处理室内部，在其上表面载置处理对象的晶片；

环状电极，在该样品台的所述上表面的外周侧将其包围地配置，被供给高频电力，为导体制；

盖体，在该环状电极的上方放置，将该环状电极覆盖，为电介质制；

基材，构成所述样品台且具有圆板或者圆筒形状；

棒状构件，在配置在该基材的外周侧部分的贯通孔内垂吊配置，且在其上端部具有与所述环状电极连接并定位于所述环状电极的连接器部；

梁状的构件，在所述贯通孔的下方的所述样品台下方空出间隙地配置，在水平方向上延伸，其一端与所述棒状构件的下端部连结，另一端相对于所述样品台定位，关于所述另一端针对所述环状电极朝上地对所述棒状构件施力；以及

高频电源，经由供电路径与所述棒状构件连接，对所述环状电极供给高频电力。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

所述梁状的构件的所述另一端在所述基材的中央部的下方相对于所述样品台定位。

3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其中，

所述棒状构件构成所述供电路径。

4.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其中，

所述梁状的构件是朝上地对所述棒状构件施力的板簧。

5.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其中，

金属制的所述梁状的构件构成所述供电路径。

6.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置具备：

电介质制的膜，覆盖所述样品台的所述上表面，放置所述晶片；以及

膜状的电极，配置在该电介质制的膜内部，在所述晶片的处理中被供给高频电力，

所述基材与接地电位电连接。

7.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置具备：

加热器，配置在所述样品台内部，对所述晶片进行加热。

8.一种等离子处理方法，在配置在真空容器内部的处理室内的样品台上配置处理对象的晶片，在所述处理室内形成等离子来对所述晶片进行处理，

在该等离子处理方法中，具备以下工序：在所述处理中，在对配置在所述样品台的内部的电极供给第1高频电力的同时，对在配置在所述样品台的所述晶片的外周侧的电介质制的环状盖体的下方被该环状盖体覆盖的环状的电极供给第2高频电力，

经过导电体制的棒状的构件以及导电体制的板状的弹簧构件将所述高频电力供给至所述环状的电极，其中，所述导电体制的棒状的构件配置在将所述样品台的内部贯通的贯通孔的内部且与所述环状的电极连接，所述导电体制的板状的弹簧构件使其一端部与该棒状的构件的下端部连接，另一端部相对于所述样品台将位置固定。