[发明专利]蚀刻液

说明书

通过干蚀刻对源极漏极间的非晶硅进行挖掘时，存在形成构成电极端子的铜/钼膜的钼膜的下侧被挖开的遮檐形状。一种蚀刻液，其特征在于，其由过氧化氢、有机酸、胺类、唑类、过氧化氢分解抑制剂和水构成，前述有机酸为选自乙醇酸、乳酸、草酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、柠檬酸、天冬氨酸、谷氨酸中的3种以上的混合物，所述蚀刻液能够将遮檐形状蚀刻成规定的形状。

技术领域

本发明涉及在对用于液晶、有机EL等的平板显示器的布线用途的铜和钼的多层膜进行蚀刻时使用的蚀刻液。

背景技术

近年来，在图像技术中，提出了4K分辨率、8K分辨率之类的高清晰度的标准。随之，平板显示器也提出了大画面的商品。在大的画面中，为了驱动画面中央附近的像素而需要长的布线。因此，使用电阻更低的铜布线，而不是以往使用的基于铝的布线。

此外，此时为了提高与基材(非晶硅等)的粘接性而在铜与基底之间配设钼。因此，为了从形成在基材上的铜/钼膜中切出布线，需要对铜与钼的二层膜进行蚀刻。但是，由于铜与钼的厚度各不相同且作为元素的特性不同，因此，单纯利用酸进行溶解时，仅铜先被蚀刻或者仅钼先被蚀刻。

其结果，发生在基材上仅残留钼或仅钼被蚀刻的所谓钼的底切状态这一现象。若钼残留在基材上，则发生其与在其上形成为导通状态的导体层之间的电阻增加的问题。此外，若发生钼的底切，则发生铜膜剥离的问题。

因此，优选铜和钼以正好的比率被蚀刻。例如，专利文献1中公开了一种多层膜用蚀刻液，其特征在于，其包含：

过氧化氢；

作为酸性有机酸的乙醇酸、丙二酸、乳酸中的至少1种；

胺化合物；

过氧化氢分解抑制剂；

作为唑类的5-氨基-1H-四唑；以及

作为包含铝盐的抗析出剂的乳酸铝，

作为前述过氧化氢分解抑制剂，以0.4质量％以上且5质量％以下的比例包含乙二醇单丁基醚，

前述胺化合物为N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷。

该蚀刻液是降低过氧化氢的分解速度、实现蚀刻液的用量降低，进而解决钼的底切的组成。

此外，专利文献2公开了一种液体组合物，其特征在于，其是对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层和由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，其包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中不包括咖啡因)1～10质量％、以及(D)咖啡因0.1～4质量％，且所述液体组合物的pH值为2.5～5.0。

该蚀刻液以可接受的比率溶解铜和钼，能够进行不发生钼的底切、铜膜剥离之类的问题的蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许6167444号

专利文献2：日本特开2017-115245号公报

发明内容

发明要解决的问题

平板显示器面板变为大画面时，为了降低耗电量而进行减薄场效应晶体管的栅极部分的厚度、降低漏电流的量的改进。

更具体而言，首先将基材上的铜/钼膜蚀刻成接近布线图案的图案。接着，通过干蚀刻对基材的非晶硅进行切削，减薄厚度。通过如此操作，能够降低晶体管在关闭状态下的漏电流，能够抑制无用的电力消耗。然后，再次将铜/钼膜蚀刻成正确的图案。即，进行这种两阶段的蚀刻。