[发明专利]电子装置和静电放电保护电路

权利要求书

1.一种电子装置，其包含：

第一III族氮化物晶体管；以及

一种静电放电ESD保护电路，其包含：

第一晶体管，其具有彼此连接并且电连接到所述第一III族氮化物晶体管的栅极的源极和栅极；

第二晶体管，其具有彼此连接并且电连接到所述第一III族氮化物晶体管的源极的源极和栅极；

第三晶体管，其具有电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的漏极、电连接到所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极的栅极，以及电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述源极的源极；以及

第四晶体管，其具有电连接到所述第三晶体管的所述栅极的漏极、电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的栅极，以及电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述源极的源极。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述ESD保护电路进一步包含：

第一电阻器，其连接在所述第三晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的所述漏极之间。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第四晶体管的所述漏极电连接到所述第一晶体管的漏极，并且其中所述第四晶体管被配置成断开所述第一III族氮化物晶体管的栅极到源极电阻和所述第一晶体管以及所述第一电阻器的串联电阻之间的并联连接。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述ESD保护电路进一步包含：

第五晶体管，其具有电连接到所述第三晶体管的所述栅极的漏极、电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述源极的栅极，以及电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的源极。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述ESD保护电路进一步包含：

第二电阻器，其连接在所述第三晶体管的所述栅极和所述第五晶体管的所述漏极之间。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述ESD保护电路进一步包含串联电连接在所述第三晶体管的所述漏极和所述第三晶体管的所述栅极之间的第一N个二极管连接的晶体管，其中N是等于或大于1的整数。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述ESD保护电路被配置成如果施加在所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极和所述源极两端的栅极-源极电压等于或超过所述第一N个二极管连接的晶体管的阈值电压和所述第三晶体管的阈值电压的总和，从所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极排出第一电流。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述ESD保护电路进一步包含串联电连接在所述第三晶体管的所述源极和所述第三晶体管的所述栅极之间的第二N个二极管连接的晶体管，其中N是等于或大于1的整数。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述ESD保护电路被配置成如果施加在所述第一III族氮化物晶体管的所述源极和所述栅极两端的源极-栅极电压等于或超过所述第二N个二极管连接的晶体管的阈值电压和所述第三晶体管的阈值电压的总和，从所述第一III族氮化物晶体管的所述源极排出第二电流。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管包括III族氮化物晶体管。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一III族氮化物晶体管是电力装置。

12.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一晶体管和所述第三晶体管的阈值电压的总和等于所述第二晶体管和所述第三晶体管的阈值电压的总和。