[发明专利]电子装置和静电放电保护电路

说明书

一种电子装置包括第一III族氮化物晶体管和静电放电ESD保护电路。一种电子装置可以包括第一III族氮化物晶体管和ESD保护电路。所述ESD保护电路可以包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。所述第一晶体管可以具有彼此连接并且电连接到所述第一III族氮化物晶体管的栅极的源极和栅极。所述第二晶体管可以具有彼此连接并且电连接到所述第一III族氮化物晶体管的源极的源极和栅极。所述第三晶体管可以具有电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的漏极、电连接到所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极的栅极，以及电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述源极的源极。

技术领域

本公开涉及一种具有静电放电(ESD)保护电路的电子装置，具体地涉及一种具有ESD保护电路的III-V族电子装置。

背景技术

包括直接带隙半导体的部件，例如包括III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体部件，由于其不同的特性，可以在各种条件下或在各种环境下(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。

此些半导体部件可以包括异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、调制掺杂FET(MODFET)等。

发明内容

在一些实施例中，电子装置可以包括第一III族氮化物晶体管和静电放电(ESD)保护电路。所述ESD保护电路可以包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。第一晶体管可以具有彼此连接并且电连接到第一III族氮化物晶体管的栅极的源极和栅极。第二晶体管可以具有彼此连接并且电连接到第一III族氮化物晶体管的源极的源极和栅极。第三晶体管可以具有电连接到第一III族氮化物晶体管的栅极的漏极、电连接到第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极的栅极，以及电连接到第一III族氮化物晶体管的源极的源极。

在一些实施例中，电子装置可以包括第一III族氮化物晶体管和ESD保护电路。所述ESD保护电路可以包括第一二极管、第二二极管和第一晶体管。第一二极管可以具有电连接到第一III族氮化物晶体管的栅极的阳极。第二二极管可以具有电连接到第一III族氮化物晶体管的源极的阳极。第一晶体管可以具有电连接到第一III族氮化物晶体管的栅极的漏极、电连接到第一二极管的阴极和第二二极管的阴极的栅极，以及电连接到第一III族氮化物晶体管的源极的源极。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的一些实施例的方面。注意，各种结构可以不按比例绘制，并且为了讨论清楚，各种结构的尺寸可以任意增加或减小。

图1绘示出了根据本公开的一些实施例的电子装置的示意图。

图2绘示出了根据本公开的一些实施例的如图1所展示的电子装置的等效电路。

图3绘示出了根据本公开的一些实施例的如图1所展示的电子装置的等效电路。

图4绘示出了根据本公开的一些实施例的电子装置的示意图。

图5绘示出了根据本公开的一些实施例的如图4所展示的电子装置的等效电路。

图6绘示出了根据本公开的一些实施例的如图4所展示的电子装置的等效电路。

图7绘示出了根据本公开的一些实施例的电子装置的示意图。

具体实施方式

以下公开提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述组件和布置的具体实例。当然，这些仅仅是实例，并不旨在限制。在本公开中，对在后续所描述的第二特征之上或上面的第一特征的形成的参考可以包括其中以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括其中可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，其本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。