[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202080006402.6 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN113169163A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 寺岛健史 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18;H01L21/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具备:
第1半导体芯片,其在正面具备输出电极部,所述输出电极部由多个电极区域构成,并且从所述多个电极区域分别输出输出电流;以及
引线,其在所述多个电极区域的各个电极区域被连接至少一根,
所述引线被连接与所连接的电极区域的位置对应的、每单位根数的电流量达到预定值以下的根数。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第1半导体芯片包含开关元件。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1半导体芯片的所述正面在俯视时为矩形,并且在所述正面的端部中央部还具备被输入控制电压的控制电极部,
所述多个电极区域分别沿着从所述控制电极部朝向与所述控制电极部对置的端部的延伸方向而配置,
所述多个电极区域根据所述多个电极区域的从所述控制电极部起的向所述延伸方向的分离位置,具有所述分离位置距离所述控制电极部最近的最近电极区域、所述分离位置距离所述控制电极部最远的最远电极区域和位于所述最近电极区域与所述最远电极区域之间的中间电极区域,
所述电流量根据与所述分离位置对应的区域而不同。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,从连接于所述多个电极区域中的所述中间电极区域的所述引线输出的每单位根数的第1输出电流最小。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,从连接于所述多个电极区域中的所述最远电极区域的所述引线输出的每单位根数的第2输出电流在所述第1输出电流之后第二小。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具有相对于所述第1半导体芯片在所述控制电极部的相反侧与所述第1半导体芯片分离地设置的导电板,
所述引线的一端连接于所述输出电极部,另一端连接于所述导电板。
7.根据权利要求3~6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1半导体芯片的所述正面还具备沿所述延伸方向从所述控制电极部延伸到所述中间电极区域的栅极流道,
所述引线分别连接于周缘区域,所述周缘区域本身为所述最近电极区域和所述中间电极区域且处于与所述控制电极部的宽度对应的中央区域的相对于所述延伸方向的两侧。
8.根据权利要求3~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具有:
第2半导体芯片,其相对于所述第1半导体芯片设置于所述控制电极部的相反侧,并且在正面设置有主电极;以及
导电板,其设置于所述第2半导体芯片的与所述第1半导体芯片相反的一侧,
所述引线的一端连接于所述输出电极部,另一端连接于所述导电板,所述一端与所述另一端之间的中间部连接于所述第2半导体芯片的所述主电极。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第2半导体芯片包含二极管元件。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置,其特征在于,所述引线的一端连接于所述最近电极区域,另一端直接连接于所述导电板。
11.根据权利要求8~10中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述引线的一端连接于所述最远电极区域,另一端连接于所述导电板,所述一端与所述另一端之间的中间部连接于所述第2半导体芯片的所述主电极。
12.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第1半导体芯片的所述正面还具备沿所述延伸方向从所述控制电极部延伸到所述中间电极区域的栅极流道,
所述引线分别连接于周缘区域,所述周缘区域本身为所述最近电极区域和所述中间电极区域且处于与所述控制电极部的宽度对应的中央区域的相对于所述延伸方向的两侧。
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