[发明专利]半导体装置

说明书

能够抑制功率循环耐量降低。具备半导体芯片(30)，所述半导体芯片(30)在正面(34)具备由电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)构成，并且从电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)分别输出输出电流的有源区(32)。另外，具备在各个电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)被连接至少一根的引线。另外，在半导体装置(10)中，引线被连接与所连接的电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)的位置对应的每单位根数的电流量达到预定值以下的根数。由此，能够抑制由于电流流通导致的引线50的发热。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等半导体元件。半导体装置通过引线将半导体元件之间等电连接，从而被用作例如电力转换装置。此时，引线由于其电阻所以会因电流导通而发热。特别是，如果引线按照半导体元件等的布局而超过预定的长度，则发热量变大。因此，在这样的长的引线的布线区域中，通过增加引线的根数，从而减少每一根引线的电流，抑制发热量的增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-014354号公报

发明内容

技术问题

然而，即使如上所述增加长的引线的根数，实际上也不能充分地抑制引线的发热。另外，按照半导体元件的键合面积，所能够连接的引线的根数受到限制。因此，随着引线温度的上升，会导致发生引线的熔断。另外，如果按照对引线的通电反复进行由发热导致的温度上升和下降，则会导致发生引线的连接部的剥离。这样半导体装置无法确保功率循环耐量，导致半导体装置的可靠性降低。

本发明是鉴于这种情况而作出的，目的在于提供能够抑制功率循环耐量的降低的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：第1半导体芯片，其在正面具备输出电极部，所述输出电极部由多个电极区域构成，并且从上述多个电极区域分别输出输出电流，和引线，其在上述多个电极区域的各个电极区域被连接至少一根，上述引线被连接与所连接的电极区域的位置对应的、每单位根数的电流量达到预定值以下的根数。

技术效果

根据公开的技术，能够抑制功率循环耐量的降低，并抑制半导体装置的可靠性降低。

通过表示作为本发明的例子所优选的实施方式的附图和相关联的以下说明，本发明的上述以及其他目的、特征和优点变得清楚。

附图说明

图1是实施方式中的半导体装置的侧截面图。

图2是实施方式中的半导体装置的俯视图。

图3是实施方式中的半导体芯片的俯视图。

图4是用于说明针对实施方式中的半导体芯片的引线键合位置的图(之一)。

图5是用于说明针对实施方式中的半导体芯片的引线键合位置的图(之二)。

图6是用于说明针对实施方式中的半导体芯片的引线键合位置的图(之三)。

图7是用于说明实施方式中的半导体装置的从半导体芯片起的引线键合的俯视图。

图8是用于说明实施方式中的半导体装置的从半导体芯片起的引线键合的侧视图。

图9是用于说明与实施方式中的半导体装置的半导体芯片的键合位置对应的引线键合的俯视图(之一)。