[发明专利]使用虚拟侧屏蔽件以改善面密度能力的磁记录装置有效

专利信息
申请号: 202080006575.8 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN113168845B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 宋苏平;李占杰;林天洛;关立杰 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G11B5/187 分类号: G11B5/187;G11B5/53;G11B5/62
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 张全信
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 虚拟 屏蔽 改善 密度 能力 记录 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录装置,所述磁记录装置包括:

主极,所述主极具有与后间隙相邻的第一表面、与所述第一表面相邻的第二表面、与所述第二表面相对的第三表面以及与前间隙相邻的第四表面;

一个或多个侧间隙,所述一个或多个侧间隙围绕并接触所述主极的所述第二表面和所述第三表面中的至少一个;和

侧屏蔽件,所述侧屏蔽件围绕所述主极的所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面中的一者或多者,包括所述第二表面和所述第三表面中的至少一者,

其中所述侧屏蔽件包括包含重金属材料的第一层和包含磁性材料的第二层,

其中所述侧屏蔽件的所述第一层与所述一个或多个侧间隙接触,并且所述侧屏蔽件的所述第二层与所述第一层接触,

其中所述第二层具有比所述第一层大的厚度,并且

其中所述第一层和所述第二层具有介于2nm至20nm之间的总厚度。

2.根据权利要求1所述的磁记录装置,所述一个或多个侧间隙包括:

第一侧间隙,所述第一侧间隙邻近所述主极的所述第二表面设置;

第二侧间隙,所述第二侧间隙邻近所述主极的所述第三表面设置;

其中所述磁记录装置还包括:

后屏蔽件,所述后屏蔽件设置在所述主极的所述第一表面和所述第一侧间隙和/或所述第二侧间隙上方;

后间隙,所述后间隙设置在所述主极的所述第一表面与所述后屏蔽件之间;和

前间隙,所述前间隙邻近所述主极的所述第四表面设置。

3.根据权利要求2所述的磁记录装置,其中所述侧屏蔽件的所述第一层围绕所述主极的所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面,

其中所述侧屏蔽件的所述第二层包括邻近所述第一侧间隙设置的第一部分和邻近所述第二侧间隙设置的第二部分,并且

其中所述第一层设置在所述第一侧间隙和所述第二侧间隙与所述第二层之间。

4.根据权利要求3所述的磁记录装置,其中所述侧屏蔽件的所述第二层还包括邻近所述前间隙设置的第三部分。

5.根据权利要求3所述的磁记录装置,其中所述第一层包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分、第五部分、第六部分和第七部分,并且其中所述第二层还包括第三部分、第四部分和第五部分。

6.根据权利要求2所述的磁记录装置,其中所述侧屏蔽件的所述第一层与所述第一侧间隙、所述第二侧间隙和所述后间隙接触,所述第一层围绕所述主极的所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面,并且

其中所述第二层包括邻近所述第一侧间隙设置的第一部分和邻近所述第二侧间隙设置的第二部分。

7.一种数据存储装置,所述数据存储装置包括根据权利要求1所述的磁记录装置。

8.一种磁记录装置,所述磁记录装置包括:

主极,所述主极具有与后间隙相邻的第一表面、与所述第一表面相邻的第二表面、与所述第二表面相对的第三表面以及与前间隙相邻的第四表面;

邻近所述后间隙设置的后屏蔽件;

一个或多个侧间隙,所述一个或多个侧间隙设置在所述后屏蔽件下方并且围绕所述主极的所述第二表面和所述第三表面,所述一个或多个侧间隙与所述主极的所述第二表面和所述第三表面接触;和

侧屏蔽件,所述侧屏蔽件围绕所述主极的所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面,所述侧屏蔽件包括与所述一个或多个侧间隙接触的第一层和与所述第一层接触的第二层;

其中所述侧屏蔽件与所述后屏蔽件和所述主极间隔开,

其中所述第二层包括邻近所述一个或多个侧间隙中的第一侧间隙和所述主极的所述第二表面设置的第一部分和邻近所述一个或多个侧间隙中的第二侧间隙和所述主极的所述第三表面设置的第二部分,

其中所述第二层还包括邻近所述主极的前间隙和所述第四表面设置的第三部分,并且

其中所述第二层的所述第三部分包括与所述第二层的所述第一部分和所述第二部分不同的材料。

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