[发明专利]使用虚拟侧屏蔽件以改善面密度能力的磁记录装置有效
申请号: | 202080006575.8 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN113168845B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 宋苏平;李占杰;林天洛;关立杰 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G11B5/187 | 分类号: | G11B5/187;G11B5/53;G11B5/62 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 张全信 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 虚拟 屏蔽 改善 密度 能力 记录 装置 | ||
本公开的实施方案整体涉及采用磁记录装置的磁介质驱动器。该磁记录装置包括邻近主极的第一表面设置的后间隙、邻近该主极的第二表面设置的第一侧间隙、邻近该主极的第三表面设置的第二侧间隙以及邻近该主极的第四表面设置的前间隙。侧屏蔽件围绕该主极并且包括重金属第一层和磁性第二层。该第一层围绕主极的第一表面、第二表面和第三表面,或主极的第二表面、第三表面和第四表面。该第二层围绕主极的第二表面和第三表面,并且还可围绕主极的第四表面。
本申请要求2019年9月9日提交的美国专利申请16/564704的优先权,所述专利申请转让给本文的受让人,并且全文以引用方式并入本文。
技术领域
本公开的实施方案整体涉及数据存储装置,并且更具体地讲,涉及采用磁记录装置的磁介质驱动器。
背景技术
在过去几年中,能量辅助磁记录(EAMR)已作为一种改善磁读/写装置,诸如硬盘驱动器(HDD)的面密度的记录方法来进行研究。启用EAMR的磁记录装置利用包括至少一个磁性层诸如自旋扭矩层(STL)的EAMR堆叠件,该至少一个磁性层在操作期间被偏置电流磁化。EAMR堆叠件通常设置在后屏蔽件和主极之间以改善写入场和/或场梯度,从而导致更好的面密度能力(ADC)。
典型的启用EAMR的磁记录装置还包括被一个或多个侧屏蔽件围绕的主极。然而,由于当施加写入电流以写入介质时电荷离开主极,因此可擦除介质上的相邻磁道。因此,侧屏蔽件用于减少相邻磁道中的擦除并且用于进一步改善每英寸磁道数(TPI)性能。另一方面,侧屏蔽件引起磁记录装置的侧间隙中的磁分流,从而减少磁记录装置的每英寸位数(BPI)。
因此,本领域需要一种改善的磁记录装置设计,以减少相邻磁道中的擦除并防止主极中磁通量的分流。
发明内容
本公开的实施方案整体涉及采用磁记录装置的磁介质驱动器。该磁记录装置包括邻近主极的第一表面设置的后间隙、邻近主极的第二表面设置的第一侧间隙、邻近主极的第三表面设置的第二侧间隙以及邻近主极的第四表面设置的前间隙。侧屏蔽件围绕主极并且包括重金属第一层和磁性第二层。第一层围绕主极的第一表面、第二表面和第三表面,或主极的第二表面、第三表面和第四表面。第二层围绕主极的第二表面和第三表面,并且还可围绕主极的第四表面。
在一个实施方案中,磁记录装置包括主极,该主极具有与后间隙相邻的第一表面、与第一表面相邻的第二表面、与第二表面相对的第三表面以及与前间隙相邻的第四表面,以及侧屏蔽件,所述侧屏蔽件围绕主极的第一表面、第二表面、第三表面和第四表面中的一者或多者,包括第二表面和第三表面中的至少一者,其中侧屏蔽件包括包含重金属材料的第一层和包含磁性材料的第二层,其中第二层具有比第一层更大的厚度,并且其中第一层和第二层具有介于约2nm至约20nm之间的总厚度。
在另一个实施方案中,磁记录装置包括主极,该主极具有与后间隙相邻的第一表面、与第一表面相邻的第二表面、与第二表面相对的第三表面以及与前间隙相邻的第四表面、邻近后间隙设置的后屏蔽件以及侧屏蔽件,所述侧屏蔽件包括围绕主极的第一表面、第二表面和第三表面的第一层,以及围绕主极的第二表面和第三表面的第二层。
在又一个实施方案中,磁记录装置包括主极,该主极具有与后间隙相邻的第一表面、与第一表面相邻的第二表面、与第二表面相对的第三表面以及与前间隙相邻的第四表面、邻近后间隙设置的后屏蔽件、一个或多个侧间隙,所述一个或多个侧间隙设置在后屏蔽件下方并且围绕主极的第二表面和第三表面,以及侧屏蔽件,所述侧屏蔽件围绕主极的第二表面、第三表面和第四表面,所述侧屏蔽件包括与一个或多个侧间隙接触的第一层以及与第一层接触的第二层,其中侧屏蔽件与后屏蔽件和主极间隔开。
附图说明
因此,通过参考实施方案,可以获得详细理解本公开的上述特征的方式、本公开的更具体描述、上述简要概述,所述实施方案中的一些在附图中示出。然而,应当注意的是,附图仅示出了本公开的典型实施方案并且因此不应视为限制其范围,因为本公开可以允许其他同等有效的实施方案。
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